[实用新型]一种晶片退火炉

说明书

本实用新型涉及一种晶片退火炉，包括炉体、抽真空装置、加热装置及控温装置，炉体包括由石英制成的下壳及上盖，下壳与上盖密封配合且下壳与上盖围成退火腔；抽真空装置用于使退火腔内达到预设真空度；加热装置用于对下壳和/或上盖进行加热；控温装置的测量端用于测量退火腔内的温度，控温装置的控温端与加热装置连接，控温装置的控温端根据控温装置的测量端的测量数据控制加热装置的启停或调节加热装置的功率；上述退火炉可在真空条件下同时进行多片晶片的退火，省去了焊接石英管及焊接后等待的时间，能够降低人工、物料、时间的浪费，有效避免由于裂管导致的晶片和石英管的损失。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产设备技术领域，特别涉及一种晶片退火炉。

背景技术

在晶片退火过程中，需要精确控制晶片所在环境和砷量控制以及退火炉不同时间阶段和不同位置的温度，以达到最佳效果。

现有技术晶片需要放在石英管中，并将石英管进行焊接密封，来保持石英管内真空度。焊接后石英管需要放置一定时间后才能投入退火炉中进行退火，造成时间上的浪费，并且焊接的石英管有一定几率会裂管，造成原材料和晶片等各种损失。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶片退火炉，以提高晶片退火效率，避免焊接密封后裂管造成损失的风险。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种晶片退火炉，包括：

炉体，所述炉体包括由石英制成的下壳以及上盖，所述下壳与所述上盖之间密封配合且所述下壳与所述上盖之间围成退火腔；

抽真空装置，所述抽真空装置用于使所述退火腔内达到预设真空度；

加热装置，所述加热装置用于对所述下壳和/或所述上盖进行加热；

控温装置，所述控温装置的测量端用于测量所述退火腔内的温度，所述控温装置的控温端与所述加热装置连接，所述控温装置的控温端根据所述控温装置的测量端的测量数据控制所述加热装置的启停或调节所述加热装置的功率。

优选地，所述抽真空装置包括设置于所述下壳或所述上盖的抽真空接口以及真空阀，所述抽真空接口的一端与所述退火腔连通，所述抽真空接口的另一端用于与真空泵连接，所述真空阀用于切断或导通所述抽真空接口与所述退火腔之间的连接。

优选地，所述加热装置包括加热丝，所述加热丝围绕所述退火腔迂回地设置于所述下壳或所述上盖内。

优选地，所述加热装置包括多条所述加热丝，各条所述加热丝沿所述退火腔的长度方向依次设置以使所述退火腔内沿所述退火腔的长度方向形成与各所述加热丝对应的温区，所述控温装置具有与各所述加热丝一一对应设置的多个所述测量端以及多个所述控温端。

优选地，还包括第一冷却盘管以及第二冷却盘管，所述第一冷却盘管迂回设置于所述下壳内，所述第一冷却盘管的进出口伸出于所述下壳，所述第二冷却盘管迂回设置于所述上盖内，所述第二冷却盘管的进出口伸出于所述上盖。

优选地，所述第一冷却盘管或所述第二冷却盘管迂回设置于所述加热丝的外围。

优选地，所述下壳与所述上盖内还分别设置有保温层，所述下壳内的保温层与所述上盖内的保温层能够在所述下壳与所述上盖扣合时相互配合围成将所述退火腔、所述加热丝、所述第一冷却盘管以及所述第二冷却盘管包裹在内的保温壳。

优选地，所述下壳与所述上盖内还分别设置有隔热层，所述下壳内的隔热层与所述上盖内的隔热层能够在所述下壳与所述上盖扣合时相互配合围成将所述保温壳包裹在内的隔热壳。

优选地，还包括用于设置于所述退火腔内的石英帽。

优选地，所述下壳与所述上盖之间铰接。