[实用新型]一种HMDS喷涂结构及装置有效
| 申请号： | 202121652103.8 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN215183862U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 韩禹;王若愚;孙元斌;刘硕;谢永刚 | 申请（专利权）人： | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 110168 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hmds 喷涂 结构 装置 | ||
1.一种HMDS喷涂结构，与进气通道连接，其特征在于，包括：
喷嘴主体，所述喷嘴主体的一端为输入端，所述喷嘴主体的另一端为输出端；
所述输入端与所述输出端导通，所述输入端用于连接所述进气通道；
所述输出端和所述输入端之间设有喷洒腔，所述喷洒腔的直径小于所述进气通道的直径。
2.根据权利要求1所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述输出端上间隔设有若干第一流通孔，若干所述第一流通孔沿所述喷洒腔的轴线周向均匀设置，且所述第一流通孔的轴线与所述喷洒腔的轴线角度为35°-50°。
3.根据权利要求1或2所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述输出端上还设有第二流通孔，所述第二流通孔对应所述喷洒腔的轴线设置。
4.根据权利要求3所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述第二流通孔具有前端孔和后端孔，所述后端孔与所述喷洒腔导通，且位于所述前端孔和所述喷洒腔之间，所述前端孔的径向尺寸沿远离所述后端孔的方向逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述输入端和所述输出端之间为过渡部，所述过渡部的径向尺寸大于所述输入端和所述输出端的径向尺寸。
6.根据权利要求5所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述过渡部靠近所述输出端的侧面设有安装结构，所述安装结构用于安装所述喷嘴主体。
7.根据权利要求6所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述输入端至所述过渡部之间的径向尺寸逐渐增大，且所述输入端与所述进气通道抵接。
8.根据权利要求7所述的HMDS喷涂结构，其特征在于，所述安装结构为安装孔。
9.一种HMDS喷涂装置，其特征在于，包括：权利要求1至8任一项所述的HMDS喷涂结构和工艺处理腔体；
其中，所述HMDS喷涂结构设置于所述工艺处理腔体内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳芯源微电子设备股份有限公司，未经沈阳芯源微电子设备股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121652103.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种地下水水质实时监测设备
- 下一篇：一种家具封边条的保护膜涂布装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
