[实用新型]一种HMDS喷涂结构及装置有效
申请号: | 202121652103.8 | 申请日: | 2021-07-20 |
公开(公告)号: | CN215183862U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 韩禹;王若愚;孙元斌;刘硕;谢永刚 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 hmds 喷涂 结构 装置 | ||
本实用新型提供了一种HMDS喷涂结构及装置,该喷涂结构包括:喷嘴主体,喷嘴主体的一端为输入端,喷嘴主体的另一端为输出端,输入端与输出端导通,输入端用于连接进气通道,输出端和输入端之间设有喷洒腔,喷洒腔的直径小于进气通道的直径。本实用新型通过在输出端和输入端之间设置喷洒腔,且喷洒腔的直径小于进气通道的直径,当进气通道内的气体进入喷洒腔内时,由于喷洒腔的体积较大,从而起到一定的缓冲作用,当气体从输出端喷出时,气体流通相对稳定,从而使喷涂时气体流通更加均匀,且结构简单,便于大批量的生产。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种HMDS喷涂结构及装置。
背景技术
为了保证光刻胶在晶圆处理过程中更好的完成图形转移,需要在晶圆上先进行喷涂HMDS处理的工艺,将晶圆表面亲水性的OH置换为疏水性的OSi(CH3)3,以实现晶圆表面接触角达到60°以上,进而保证光刻胶与晶圆表面更好的粘结。
但是,目前喷涂HMDS的设备中,由于喷嘴结构的问题,导致喷涂HMDS时的材料浪费,以及喷涂不均匀,从而影响光刻胶与晶圆表面的粘结。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种HMDS喷涂结构及装置,避免了喷涂材料的浪费,使喷涂时表面更加均匀。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种HMDS喷涂结构,该喷涂结构包括:喷嘴主体,喷嘴主体的一端为输入端,喷嘴主体的另一端为输出端,输入端与输出端导通,输入端用于连接进气通道,输出端和输入端之间设有喷洒腔,喷洒腔的直径小于进气通道的直径。
本实用新型提供的实施例一种HMDS喷涂结构的有益效果在于:通过在输出端和输入端之间设置喷洒腔,且喷洒腔的直径小于进气通道的直径,当进气通道内的气体进入喷洒腔内时,由于喷洒腔的体积较大,从而起到一定的缓冲作用,当气体从输出端喷出时,气体流通相对稳定,从而使喷涂时气体流通更加均匀,且结构简单,便于大批量的生产。
在一种可能的实现中,输出端上间隔设有若干第一流通孔,若干第一流通孔沿喷洒腔的轴线周向均匀设置,且第一流通孔的轴线与喷洒腔的轴线角度为35°-50°。其有益效果在于:通过沿喷洒腔的轴线周向均匀设置第一流通孔,且第一流通孔的轴线与喷洒腔的轴线角度为35°-50°,便于均匀的完成喷涂工作。
在一种可能的实现中,输出端上还设有第二流通孔,第二流通孔对应喷洒腔的轴线设置。其有益效果在于:进一步保障了喷涂时气体均匀的流出。
在一种可能的实现中,第二流通孔具有前端孔和后端孔,后端孔与喷洒腔导通,且位于前端孔和喷洒腔之间,前端孔的径向尺寸沿远离后端孔的方向逐渐增大。其有益效果在于:通过设置类似于喇叭口的前端孔,且结合周向设置的第一流通孔进一步保证了喷嘴的均匀喷涂。
在一种可能的实现中,输入端和输出端之间为过渡部,过渡部的径向尺寸大于输入端和输出端的径向尺寸。其有益效果在于:该结构便于实现喷嘴主体实现嵌入式安装,保证产品的完整性。
在一种可能的实现中,过渡部靠近输出端的侧面设有安装结构,安装结构用于安装喷嘴主体。其有益效果在于:实现了喷嘴结构的固定安装。
在一种可能的实现中,输入端至过渡部之间的径向尺寸逐渐增大,且输入端与进气通道抵接。其有益效果在于:输入端与进气通道之间连接导通的方式简单。
在一种可能的实现中,安装结构为安装孔。其有益效果在于:固定方式简单。
在第二方面,本发明实施例提供一种HMDS喷涂装置,包括上述HMDS喷涂结构和工艺处理腔体,其中,HMDS喷涂结构设置于工艺处理腔体内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造