[实用新型]LED芯片结构

权利要求书

1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括：

LED芯片；

第一尖端放电结构，位于所述LED芯片上；

第二尖端放电结构，位于所述LED芯片上，与所述第一尖端放电结构具有间距；

连接导线，位于所述LED芯片上，一端与所述第一尖端放电结构相连接，另一端与所述第二尖端放电结构相连接，以将所述第一尖端放电结构和所述第二尖端放电结构电连接。

2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述第一尖端放电结构及所述第二尖端放电结构均为锥形金属结构；所述连接导线的材料包括金属和/或透明导电材料。

3.根据权利要求2所述的LED芯片结构，其特征在于，所述连接导线的长度不小于100μm。

4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片包括第一电极、第二电极及绝缘层，所述第一电极及所述第二电极自所述绝缘层的下方贯穿所述绝缘层并延伸至所述绝缘层的上表面；所述第一尖端放电结构位于所述绝缘层的上表面，且位于所述第一电极附近，并与所述第一电极具有第一间距；所述第二尖端放电结构位于所述绝缘层的上表面，且位于所述第二电极附近，并与所述第二电极具有第二间距。

5.根据权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括切割道，所述切割道环绕所述LED芯片；所述连接导线自所述第一尖端放电结构延伸至所述切割道，并沿所述切割道向远离所述第二尖端放电结构的方向延伸后绕过所述第一电极及所述第二电极与所述第二尖端放电结构相连接。

6.根据权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片还包括衬底、从衬底上表面开始从下至上依次叠置的第一半导体层、发光层、第二半导体层及透明电极层，所述透明电极层、所述第二半导体层及所述发光层内形成有缺口，所述缺口暴露出所述第一半导体层；所述第一半导体层与所述第二半导体具有不同的导电类型；所述绝缘层位于所述透明电极层的上表面及裸露的所述第一半导体层的上表面；所述第一电极位于裸露的所述第一半导体层的上表面，所述第二电极位于所述第二半导体层的上表面。

7.根据权利要求6所述的LED芯片结构，其特征在于，第一尖端放电结构位于第一半导体层上方，且与第一半导体层通过绝缘层电隔离，第二尖端放电结构位于第二半导体层上方，且与第二半导体层通过绝缘层电隔离。

8.根据权利要求6所述的LED芯片结构，其特征在于，所述第一半导体层包括N型半导体层，所述第二半导体层包括P型半导体层，所述第一电极包括N电极，所述第二电极包括P电极。

9.根据权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，所述第一间距包括1μm～100μm；所述第二间距包括1μm～100μm。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片。