[实用新型]LED芯片结构

说明书

本实用新型公开一种LED芯片结构，包括：LED芯片；第一尖端放电结构，位于所述LED芯片上；第二尖端放电结构，位于所述LED芯片上，与所述第一尖端放电结构具有间距；连接导线，位于所述LED芯片上，一端与所述第一尖端放电结构相连接，另一端与所述第二尖端放电结构相连接，以将第一尖端放电结构和第二尖端放电结构电连接。上述LED芯片结构，通过增设尖端放电结构，利用尖端放电和避雷针工作原理，可以将静电荷引流疏散至连接导线中，结构简单，并且可以有效地保护LED芯片工作结构不受静电冲击，从而提升LED芯片品质。

技术领域

本实用新型涉及LED芯片技术，尤其涉及一种LED芯片结构。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用将越来越广泛，其凭借体积小、能耗少、亮度高以及热量低的优势，广泛应用于各类显示器上。LED灯的核心组件是LED芯片，其主要功能是把电能转化为光能。LED芯片因其物理特性，对静电释放(Electro-Static discharge，ESD)极其敏感，非常容易受到静电影响。

然而，LED芯片的各种使用环境中，静电无处不在。历久以来，LED芯片因ESD静电击穿而导致的死灯问题居高不下。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种LED芯片结构，以解决LED芯片因ESD静电击穿而导致的死灯问题。

为了实现本实用新型的目的，本申请采用如下技术方案：

一种LED芯片结构，包括：LED芯片；第一尖端放电结构，位于所述LED芯片上；第二尖端放电结构，位于所述LED芯片上，与所述第一尖端放电结构具有间距；连接导线，位于所述LED芯片上，一端与所述第一尖端放电结构相连接，另一端与所述第二尖端放电结构相连接，以将所述第一尖端放电结构和所述第二尖端放电结构电连接。

上述LED芯片结构，通过增设尖端放电结构，利用尖端放电和避雷针工作原理，可以将静电荷引流疏散，以保护LED芯片工作结构不受静电冲击，从而提升LED芯片品质。

在其中一个实施例中，所述第一尖端放电结构及所述第二尖端放电结构均为锥形金属结构；所述连接导线的材料包括金属线和/或透明导电材料。

在其中一个实施例中，所述连接导线的长度不小于100μm。

在其中一个实施例中，所述LED芯片包括第一电极、第二电极及绝缘层，所述第一电极及所述第二电极自所述绝缘层的下方贯穿所述绝缘层并延伸至所述绝缘层的上表面；所述第一尖端放电结构位于所述绝缘层的上表面，且位于所述第一电极附近，并与所述第一电极具有第一间距；所述第二尖端放电结构位于所述绝缘层的上表面，且位于所述第二电极附近，并与所述第二电极具有第二间距。

在其中一个实施例中，LED芯片结构还包括切割道，所述切割道环绕所述LED芯片；所述连接导线自所述第一尖端放电结构延伸至所述切割道，并沿所述切割道向远离所述第二尖端放电结构的方向延伸后绕过所述第一电极及所述第二电极与所述第二尖端放电结构相连接。

在其中一个实施例中，所述LED芯片还包括衬底、从衬底上表面开始从下至上依次叠置的第一半导体层、发光层、第二半导体层及透明电极层，所述透明电极层、所述第二半导体层及所述发光层内形成有缺口，所述缺口暴露出所述第一半导体层；所述第一半导体层与所述第二半导体具有不同的导电类型；所述绝缘层位于所述透明电极层的上表面及裸露的所述第一半导体层的上表面；所述第一电极位于裸露的所述第一半导体层的上表面，所述第二电极位于所述第二半导体层的上表面。

在其中一个实施例中，第一尖端放电结构位于第一半导体层上方，且与第一半导体层通过绝缘层电隔离，第二尖端放电结构位于第二半导体层上方，且与第二半导体层通过绝缘层电隔离。

在其中一个实施例中，所述第一半导体层包括N型半导体层，所述第二半导体层包括P型半导体层，所述第一电极包括N电极，所述第二电极包括P电极。