[实用新型]一种高放大倍数的全差分运算放大器有效
| 申请号： | 202121713310.X | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN215342594U | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 范洋;陈艳军 | 申请（专利权）人： | 成都普瑞德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海氦闪专利代理事务所(普通合伙) 31354 | 代理人： | 李明;袁媛 |
| 地址： | 610093 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 放大 倍数 全差分 运算放大器 | ||
1.一种高放大倍数的全差分运算放大器，其特征在于：包括P衬底（1）、固定连接于所述P衬底（1）上的N阱（2）、至少三个固定连接于所述N阱（2）上的P扩散区以及固定连接于所述N阱（2）上的控制极，所述控制极设为至少两个，所述P扩散区的数量多于所述控制极的数量，所述控制极两侧均设置所述P扩散区。
2.根据权利要求1所述的一种高放大倍数的全差分运算放大器，其特征在于：所述P扩散区和所述控制极设为两套，两套所述P扩散区之间固定设置有SiO2。
3.根据权利要求1或2所述的一种高放大倍数的全差分运算放大器，其特征在于：所述P衬底（1）覆盖所述N阱（2）的侧面。
4.根据权利要求3所述的一种高放大倍数的全差分运算放大器，其特征在于：所述P衬底（1）在靠近所述N阱（2）侧面位置固定设置有SiO2。
5.根据权利要求2所述的一种高放大倍数的全差分运算放大器，其特征在于：包括电连接第一套中相互远离的两个所述P扩散区的金属连接线A1（5）、电连接第二套中相互远离的两个所述P扩散区的金属连接线A2（6）以及分别电连接第一套和第二套位于中间位置的所述P扩散区的金属连接线B（7），所述金属连接线A1（5）还电连接第一套中远离所述SiO2的所述控制极和第二套中靠近所述SiO2的所述控制极，所述金属连接线A2（6）还电连接第二套中远离所述SiO2的所述控制极和第一套中靠近所述SiO2的所述控制极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
