[实用新型]一种高放大倍数的全差分运算放大器

说明书

本申请涉及一种高放大倍数的全差分运算放大器，涉及放大电路的领域，其包括P衬底、固定连接于所述P衬底上的N阱、至少三个固定连接于所述N阱上的P扩散区以及固定连接于所述N阱上的控制极，所述控制极设为至少两个，所述P扩散区的数量多于所述控制极的数量，所述控制极两侧均设置所述P扩散区。本申请具有提高全差分运算放大器的放大倍数，并在一定条件下可使电路增益趋近于无穷大的效果。

技术领域

本申请涉及放大电路的领域，尤其是涉及一种全差分运算放大器。

背景技术

进入现代科技以来，模拟集成电路设计已经成为人们日常生活中的重要组成部分。全差分运算放大器电路是一种差分输入和差分输出的电路结构，由于P型MOS管和N型MOS管的电流不能完美匹配，容易导致输出共模电平发生偏移，由于输入差分对的尾电流源通常共模增益较小，导致运放无法控制其输出共模点，通过共模反馈电路可以提高共模反馈环路的增益，以稳定共模信号，全差分放大器相比单端输出放大器虽然增加了功耗，但提高了共模抑制比（CMRR）和输出电压摆幅，更加适合应用一些高精度的应用中。

然而，当前的全差分运算放大器放大倍数仍存在有不满足日益增长的需求的情况，需要克服现有技术的不足，以提高全差分运算放大器的放大倍数。

实用新型内容

为了提高全差分运算放大器的放大倍数，本申请提供一种高放大倍数的全差分运算放大器。

本申请提供的一种高放大倍数的全差分运算放大器采用如下的技术方案：

一种高放大倍数的全差分运算放大器，包括P衬底、固定连接于所述P衬底上的N阱、至少三个固定连接于所述N阱上的P扩散区以及固定连接于所述N阱上的控制极，所述控制极设为至少两个，所述P扩散区的数量多于所述控制极的数量，所述控制极两侧均设置所述P扩散区。

优选的，所述P扩散区和所述控制极设为两套，两套所述P扩散区之间固定设置有SiO2。

优选的，所述P衬底覆盖所述N阱的侧面。

优选的，所述P衬底在靠近所述N阱侧面位置固定设置有SiO2。

优选的，包括电连接第一套中相互远离的两个所述P扩散区的金属连接线A1、电连接第二套中相互远离的两个所述P扩散区的金属连接线A2以及分别电连接第一套和第二套位于中间位置的所述P扩散区的金属连接线B，所述金属连接线A1还电连接第一套中远离所述SiO2的所述控制极和第二套中靠近所述SiO2的所述控制极，所述金属连接线A2还电连接第二套中远离所述SiO2的所述控制极和第一套中靠近所述SiO2的所述控制极。

综上所述，本申请包括以下有益技术效果：

通过设置该全差分运算放大器，可有效增大放大倍数，并在特定条件下可使电路增益趋近于无穷大。

附图说明

图1是本申请中高放大倍数的全差分运算放大器的结构示意图；

图2是本申请中高放大倍数的全差分运算放大器的等效电路图；

图3是本申请中高放大倍数的全差分运算放大器的单边等效模型；

图4是本申请中高放大倍数的放大电路的结构示意图。

附图标记：1、P衬底；2、N阱；201、第一P扩散区；202、第二P扩散区；203、第三P扩散区；204、第四P扩散区；205、第五P扩散区；206、第六P扩散区；207、第一控制极；208、第二控制极；209、第三控制极；210、第四控制极；3、第一SiO2；4、第二SiO2；5、金属连接线A1；6、金属连接线A2；7、金属连接线B。

具体实施方式

以下结合附图1-4对本申请作进一步详细说明。

本申请实施例公开一种高放大倍数的全差分运算放大器。