[实用新型]一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路

权利要求书

1.一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，其特征在于：包含射频开关RX端、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C_d、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电感L_g、电感L_s、电感L_d、开关管M5、开关管M6、开关SW1、开关SW2、开关SW3、Vdd端、射频信号输出OUT端；

其中，射频开关RX端连接电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接电容C2的一端和电感L_g的一端，电感L_g的另一端分别连接电阻R1的一端、开关管M5的基极和开关SW1的闭端，开关SW1的开端接地，开关管M5的发射极连接电感L_s的一端，电感L_s的另一端接地，电阻R1的另一端连接直流偏置Bias端,开关管M5的集电极连接开关管M6的发射极，开关管M6的基极分别连接电容C4的一端、电阻R2的一端和电阻R3的一端，电容C4的另一端和电阻R3的另一端分别接地，电阻R2的另一端分别连接电容C_d的一端、电感L_d的一端和Vdd端，电容C_d的另一端接地，电感L_d的另一端分别连接开关管M6的集电极、电容C5的一端和电容C6的一端，电容C5的另一端接地，电容C6的另一端分别连接电容C7的一端和开关SW3的开端，开关SW3的闭端分别连接电容C3的一端和开关SW2的开端，开关SW2的闭端连接电容C2的一端，电容C3的另一端接地，电容C7的另一端连接射频信号输出OUT端。

2.根据权利要求1所述的一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，其特征在于：所述电容C1为隔直电容C1。

3.根据权利要求1所述的一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，其特征在于：所述电感L_g为输入电感。

4.根据权利要求1所述的一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，其特征在于：所述电感L_s为源极电感。