[实用新型]一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路

说明书

本实用新型公开了一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，属于电路技术领域，包含射频开关RX端、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容Cd、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电感Lg、电感Ls、电感Ld、开关管M5、开关管M6、开关SW1、开关SW2、开关SW3、Vdd端、射频信号输出OUT端，其将接收到的微小信号进行放大以供给后级电路，在尽量低噪声系数的情况下提高增益，为了同时获得较低的噪声系数和较高的增益，主放大电路采用带源极电感负反馈的共源共栅结构，在不增加噪声的情况下，输入端采用源极电感，负反馈结构实现输入匹配，尽可能实现最小的噪声和最大的增益。

技术领域

本实用新型涉及低噪声放大器电路技术领域，尤其涉及一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路。

背景技术

近年来通信技术以惊人的速度发展，新一代移动通信芯片将被要求支持更多的频段和敦促显著的频率灵活性，低噪声放大器在蜂窝通信和无传感网络领域得到了广泛运用。

低噪声放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路，在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此需要减小这种噪声，以提高输出的信噪比。

现有技术中，低噪声放大器可采用共源共栅结构，并利用负载模块(例如变压器、多级谐振网络)作为负载，进而输出信号，但是，部分负载模块需自外部接入供电，外接的供电将带来额外的功耗，从而导致低噪声放大器的功耗较大。同时，变压器、多级谐振网络等负载模块还会造成芯片面积较大。

但是目前，在实现高增益宽频带情况下获得的噪声系数普遍比较大。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对背景技术的不足提供一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，其将接收到的微小信号进行放大以供给后级电路，在尽量低噪声系数的情况下提高增益，为了同时获得较低的噪声系数和较高的增益，主放大电路采用带源极电感负反馈的共源共栅结构，在不增加噪声的情况下，输入端采用源极电感，负反馈结构实现输入匹配，尽可能实现最小的噪声和最大的增益。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路，包含射频开关RX端、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C_d、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电感L_g、电感L_s、电感L_d、开关管M5、开关管M6、开关SW1、开关SW2、开关SW3、Vdd端、射频信号输出OUT端；

其中，射频开关RX端连接电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接电容C2的一端和电感L_g的一端，电感L_g的另一端分别连接电阻R1的一端、开关管M5的基极和开关SW1的闭端，开关SW1的开端接地，开关管M5的发射极连接电感L_s的一端，电感L_s的另一端接地，电阻R1的另一端连接直流偏置Bias端,开关管M5的集电极连接开关管M6的发射极，开关管M6的基极分别连接电容C4的一端、电阻R2的一端和电阻R3的一端，电容C4的另一端和电阻R3的另一端分别接地，电阻R2的另一端分别连接电容C_d的一端、电感L_d的一端和Vdd端，电容C_d的另一端接地，电感L_d的另一端分别连接开关管M6的集电极、电容C5的一端和电容C6的一端，电容C5的另一端接地，电容C6的另一端分别连接电容C7的一端和开关SW3的开端，开关SW3的闭端分别连接电容C3的一端和开关SW2的开端，开关SW2的闭端连接电容C2的一端，电容C3的另一端接地，电容C7的另一端连接射频信号输出OUT端。

作为本实用新型一种用于射频接收前端芯片的低噪声放大器电路的进一步优选方案，所述电容C1为隔直电容C1。