[实用新型]用于干法清洗设备的晶圆支架有效
申请号: | 202121762552.8 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN215731606U | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 任殿胜;刘宇;王建利;张华 | 申请(专利权)人: | 保定通美晶体制造有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B7/04 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 李英伟;郑建晖 |
地址: | 072560 河北省保定市定兴*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 清洗 设备 支架 | ||
本实用新型涉及一种用于干法清洗设备的晶圆支架,其中该晶圆支架包括:底板,所述底板具有一个安装表面;多个保持件,所述保持件安装至所述底板,且所述保持件在所述底板上的安装位置能够调节;以及多个支撑件,每个支撑件都固定至所述底板的安装表面且每个支撑件的用于支撑晶圆的支撑表面为弧形表面,并且每个支撑件都配备有至少两个保持件。
技术领域
本实用新型涉及对半导体工艺设备技术领域,更具体地,涉及一种用于干法清洗设备的晶圆支架。
背景技术
半导体晶圆主要指由半导体材料生产和加工而成的片状(圆形) 的高附加值产品,通常称为晶圆,例如Si片、GaAs片、Ge片、InP片等,广泛应用于半导体行业。
由于晶圆对清洁度具有较高的要求,晶圆清洗是半导体制造工艺中最重要、最频繁的部分,而且其工艺质量将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性,所以国内外各大公司、研究机构等对清洗工艺一直在不断的进行研究。已知的是,半导体制程中一般使用干法清洗技术,诸如等离子体清洗或臭氧清洗技术,其能够有效去除晶圆表面的有机物污染,并能活化表面性能。
目前干法清洗(如等离子体)设备在清洗晶圆时存在以下几个问题:(1)直接将晶圆放在设备腔内的石英台上,使得晶圆背面直接接触石英台,将会造成背面的划伤或损坏;(2)由于晶圆和石英台的表面都比较光滑,晶圆易吸附在石英台,因此,清洗完成后,很难将晶圆取下;(3)清洗设备在运行过程中需要抽真空,在此过程中,由于石英台没有固定晶圆的装置,晶圆将会在真空作用下,在石英台表面滑动,这也将会造成晶圆背面的划伤或损坏;(4)每次只能清洗一片晶圆,清洗效率低。
尽管已经对晶圆载具进行了一些研究,例如:名称为“晶舟及晶圆承载装置”(专利申请号:201720947526.X)的实用新型专利提供了一种晶舟及晶圆承载装置,可检测晶圆破片情况;名称为“晶圆载具”(专利申请号:201820800876.8)的实用新型专利提供一种以塑料制成的可减少微尘颗粒掉落于晶圆上的晶圆载具;名称为“晶圆托盘及晶圆支架”(专利申请号:201621167918.6)的实用新型专利提供晶圆托盘及支架,解决了晶圆易滑落、造成晶圆碎裂的问题等,但是,由于等离子体清洗设备的特定结构与工艺特性的限制,上述提及的晶圆托盘或支架均不适用于等离子体清洗设备。
因此,需要一种用于干法清洗设备的晶圆支架。
实用新型内容
为解决现有技术中的上述缺陷,本实用新型提供一种用于干法清洗设备的晶圆支架,其可以避免晶圆的划伤及损坏。
具体地,本实用新型提供了一种用于干法清洗设备的晶圆支架,该晶圆支架包括:
底板,所述底板具有一个安装表面;
多个保持件,所述保持件安装至所述底板,且所述保持件在所述底板上的安装位置能够调节;以及
多个支撑件,每个支撑件都固定至所述底板的安装表面且每个支撑件的用于支撑晶圆的支撑表面为弧形表面,并且每个支撑件都配备有至少两个保持件。
在本实用新型的一个优选实施方案中,每个支撑件外侧设置有至少两个安装槽,所述保持件安装到对应的安装槽中,且能够沿所述安装槽移动。有利地,通过使保持件沿安装槽移动,可以改变保持件之间的距离,从而适用于保持不同尺寸的晶圆。
在本实用新型的一个优选实施方案中,每个支撑件外侧设置有多组安装孔,所述保持件安装到对应的安装孔中。有利地,每组安装孔对应于一种尺寸的晶圆,通过将保持件选择性地安装到对应的安装孔中,可以使保持件适用于保持不同尺寸的晶圆。
在本实用新型的一个优选实施方案中,所述保持件包括保持杆和保持头部,所述保持头部能够相对于所述保持杆旋转或沿所述保持杆移动。有利地,通过调节保持头部的位置,可以增加晶圆的操作空间,这便于晶圆的取放。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造