[实用新型]一种功率放大器

说明书

本申请提供一种功率放大器，涉及通信技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的电极；依次设置于电极上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括基极互连金属层和发射极互连金属层，第二金属层包括集电极互连金属层和辅助互连金属层；第一发射极和第二发射极通过发射极互连金属层连接，辅助互连金属层与发射极互连金属层连接，如此，在实现第一发射极和第二发射极的连接中，增加了第二金属层的辅助互连金属层，使得第一发射极和第二发射极的互连金属的厚度增大，从而有效提高功率放大器的发射极的过电流能力，也即能够有效提高功率放大器的输出功率，从而提高器件性能，使得器件有着更优的表现。

技术领域

本申请涉及通信技术领域，具体而言，涉及一种功率放大器。

背景技术

随着半导体工艺的发展，人们着力于提高半导体的性能以使得半导体器件具有更好的表现。功率放大器作为一种半导体器件，主要应用于无线通信系统，其功能主要是实现射频信号放大，然后将信号通过天线辐射出去，实现无线传输。功率放大器的输出功率大小直接决定了信号覆盖距离和信号强弱。

现有功率放大器为了提高输出功率，通常会采用功率合成技术将多个放大器合成在一起实现更高功率要求。但在对多个功率放大器的发射极进行连接时，通常采用单层金属，这导致发射极的过电流能力较差，限制了功率放大器整体的输出功率。

实用新型内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种功率放大器，能够提高现有功率放大器中发射极的过电流能力。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例的一方面，提供一种功率放大器，包括：衬底；衬底包括第一有源区、第二有源区以及位于第一有源区和第二有源区外围的无源区；设置于衬底上的电极，电极包括设置于第一有源区的第一基极、第一集电极和第一发射极、设置于第二有源区的第二基极、第二集电极和第二发射极；依次设置于电极上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括基极互连金属层和发射极互连金属层，第二金属层包括集电极互连金属层和辅助互连金属层；第一基极和第二基极通过基极互连金属层连接，第一集电极和第二集电极通过集电极互连金属层连接，第一发射极和第二发射极通过发射极互连金属层连接，辅助互连金属层与发射极互连金属层连接。

可选的，发射极互连金属层包括位于无源区的发射极主金属和发射极连接金属，辅助互连金属层与发射极连接金属通过第一互连结构连接，第一发射极通过发射极连接金属和辅助互连金属层与发射极主金属连接，第二发射极通过发射极连接金属和辅助互连金属与发射极主金属连接。

可选的，集电极互连金属层包括位于无源区的集电极主金属和集电极连接金属，第一集电极和第二集电极分别通过集电极连接金属与集电极主金属连接。

可选的，功率放大器还包括绝缘层，绝缘层位于第一金属层和第二金属层之间。

可选的，在衬底的背面还设置有背面金属层，自衬底的一侧形成贯穿衬底的第二互连结构，发射极主金属通过第二互连结构与背面金属层连接。

可选的，辅助互连金属层在衬底的正投影区域与发射极连接金属在衬底的正投影区域重合。

可选的，辅助互连金属层在衬底的正投影区域小于发射极连接金属在衬底的正投影区域。

可选的，集电极主金属在发射极连接金属与发射极主金属的连接处设置有容置空间，在容置空间至少用于容置辅助互连金属层。

可选的，第一互连结构与发射极主金属的交叠区域在衬底的正投影为第一长方形，发射极连接金属在衬底的正投影为第二长方形，第一长方形的宽与第二长方形的宽的比值大于或等于1/2。