[实用新型]功率MOS器件结构有效
| 申请号： | 202121809539.3 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN215496735U | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 田伟;廖兵 | 申请（专利权）人： | 苏州达晶半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率MOS器件结构，其特征在于：包括：MOS芯片（1）、铜支撑框架（2）、栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5），位于所述MOS芯片（1）上表面的栅极区（101）、漏极区（102）和源极区（103）分别通过第一金属线（61）、第二金属线（62）和第三金属线（63）电连接到栅极引脚（3）、 漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端，所述铜支撑框架（2）上具有一镂空区（7），所述MOS芯片（1）位于一导热陶瓷片（8）的上表面，此导热陶瓷片（8）的下表面具有一凸起台（81），所述导热陶瓷片（8）的凸起台（81）嵌入铜支撑框架（2）的镂空区（7）内，一环氧封装体（9）包覆于MOS芯片（1）、铜支撑框架（2）和栅极引脚（3）、漏极引脚（4）和源极引脚（5）各自的焊接端上，所述凸起台（81）的下表面从环氧封装体（9）的下表面齐平。
2. 根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述栅极引脚（3）、 漏极引脚（4）和源极引脚（5）中相邻引脚之间的间隔超过2 mm。
3.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述导热陶瓷片（8）厚度为1~2mm。
4.根据权利要求1所述的功率MOS器件结构，其特征在于：所述凸起台（81）厚度为1~2mm。
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