[实用新型]功率MOS器件结构

说明书

本实用新型公开一种功率MOS器件结构，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，位于所述MOS芯片上表面的栅极区、漏极区和源极区分别通过第一金属线、第二金属线和第三金属线电连接到栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端，所述铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，所述凸起台的下表面从环氧封装体的下表面齐平。本实用新型功率半导体器件封装结构提高了器件的整体结构强度和稳定性，也有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种MOS器件结构。

背景技术

MOS管是金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好，因而通常在电源、驱动电路、开关电路等有广泛应用。随着市场的发展，对MOS的安全性和可靠性要求越来越高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种功率MOS器件结构，该功率MOS器件结构提高了器件的整体结构强度和稳定性，也有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种功率MOS器件结构，包括：MOS芯片、铜支撑框架、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，位于所述MOS芯片上表面的栅极区、漏极区和源极区分别通过第一金属线、第二金属线和第三金属线电连接到栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端，所述铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，所述导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，一环氧封装体包覆于MOS芯片、铜支撑框架和栅极引脚、 漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，所述凸起台的下表面从环氧封装体的下表面齐平。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述栅极引脚、 漏极引脚和源极引脚中相邻引脚之间的间隔超过2 mm。

2. 上述方案中，所述导热陶瓷片厚度为1~2mm。

3. 上述方案中，所述凸起台厚度为1~2mm。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型功率MOS器件结构，其铜支撑框架上具有一镂空区，所述MOS芯片位于一导热陶瓷片的上表面，此导热陶瓷片的下表面具有一凸起台，导热陶瓷片的凸起台嵌入铜支撑框架的镂空区内，所述凸起台的下表面从环氧封装体的下表面齐平，提高了器件的整体结构强度和稳定性，也有利于热量及时散热，改善了散热性能，从而延长了器件使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型功率MOS器件结构的结构示意图；

附图2为附图1中沿A-A的剖面结构示意图；

附图3为本实用新型功率MOS器件结构的内部结构示意图。

以上附图中：1、MOS芯片；101、栅极区；102、漏极区；103、源极区；2、铜支撑框架；3、栅极引脚；4、漏极引脚；5、源极引脚；61、第一金属线；62、第二金属线；63、第三金属线；7、镂空区；8、导热陶瓷片；81、凸起台； 9、环氧封装体。

具体实施方式