[实用新型]一种晶体生长测温装置及晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202121840363.8 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN215338598U 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 齐红基;王晓亮;陈端阳 申请(专利权)人: 杭州富加镓业科技有限公司
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00;C30B28/04;C30B35/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 温宏梅
地址: 311400 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体生长 测温 装置
【权利要求书】:

1.一种晶体生长测温装置,其特征在于,包括:

壳体,所述壳体上设置有第一通孔;

保温罩,所述保温罩位于所述壳体内,所述保温罩设置有第二通孔;

坩埚,所述坩埚位于所述保温罩内;

其中,所述第一通孔处设置有红外测温器,所述红外测温器的感温头朝向所述坩埚,所述第一通孔和所述第二通孔均位于所述坩埚和所述感温头之间。

2.根据权利要求1所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述坩埚内设置有模具,所述感温头朝向所述模具的上表面。

3.根据权利要求1所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述坩埚外设置有加热装置。

4.根据权利要求3所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述加热装置为感应线圈。

5.根据权利要求1所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述第一通孔有两个,所述红外测温器有两个。

6.根据权利要求5所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述第二通孔为长条形通孔,两个所述第一通孔的中心轴线均穿过所述长条形通孔。

7.根据权利要求5所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述壳体上设置有第三通孔,所述第三通孔内设置有籽晶杆;两个所述第一通孔分别位于所述第三通孔的两侧,所述籽晶杆可插入到所述第二通孔中。

8.根据权利要求1所述的晶体生长测温装置,其特征在于,所述第一通孔内设置有管体,所述管体向背离坩埚的方向延伸;

所述管体上设置有安装座;

所述安装座上设置所述红外测温器。

9.根据权利要求1所述的晶体生长测温装置,其特征在于,

所述坩埚为铱坩埚或铱合金坩埚。

10.一种晶体生长装置,其特征在于,包括:

如权利要求1至9中任一项所述的晶体生长测温装置。

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