[实用新型]一种晶体生长测温装置及晶体生长装置

说明书

本实用新型公开了一种晶体生长测温装置及晶体生长装置，晶体生长测温装置包括：壳体，所述壳体上设置有第一通孔；保温罩，所述保温罩位于所述壳体内，所述保温罩设置有第二通孔；坩埚，所述坩埚位于所述保温罩内；其中，所述第一通孔处设置有红外测温器，所述红外测温器的感温头朝向所述坩埚，所述第一通孔和所述第二通孔均位于所述坩埚和所述感温头之间。本实用新型中通过在壳体上设置红外测温器，且红外测温器的感温头朝向坩埚，第一通孔和第二通孔均位于坩埚和感温头之间，坩埚中熔体辐射的红外线可以依次穿过第二通孔和第一通孔，直接到达红外测温器的感温头，因此，红外测温器可以准确测量坩埚内熔体的温度。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长测温技术领域，尤其涉及的是一种晶体生长测温装置及晶体生长装置。

背景技术

采用熔融法生长晶体时，温度是晶体生长的关键影响因素。现有技术中，晶体生长过程中，坩埚中熔体的温度无法检测。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种晶体生长测温装置及晶体生长装置，旨在解决现有技术中坩埚中熔体的温度无法检测的问题。

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种晶体生长测温装置，其中，包括：

壳体，所述壳体上设置有第一通孔；

保温罩，所述保温罩位于所述壳体内，所述保温罩设置有第二通孔；

坩埚，所述坩埚位于所述保温罩内；

其中，所述第一通孔处设置有红外测温器，所述红外测温器的感温头朝向所述坩埚，所述第一通孔和所述第二通孔均位于所述坩埚和所述感温头之间。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述坩埚内设置有模具，所述感温头朝向所述模具的上表面。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述坩埚外设置有加热装置。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述加热装置为感应线圈。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述第一通孔有两个，所述红外测温器有两个。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述第二通孔为长条形通孔，两个所述第一通孔的中心轴线均穿过所述长条形通孔。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述壳体上设置有第三通孔，所述第三通孔内设置有籽晶杆；两个所述第一通孔分别位于所述第三通孔的两侧，所述籽晶杆可插入到所述第二通孔中。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述第一通孔内设置有管体，所述管体向背离坩埚的方向延伸；

所述管体上设置有安装座；

所述安装座上设置所述红外测温器。

所述的晶体生长测温装置，其中，所述坩埚为铱坩埚或铱合金坩埚。

一种晶体生长装置，其中，包括：

如上述任一项所述的晶体生长测温装置。

有益效果：本实用新型中通过在壳体上设置红外测温器，且红外测温器的感温头朝向坩埚，第一通孔和第二通孔均位于坩埚和感温头之间，坩埚中熔体辐射的红外线可以依次穿过第二通孔和第一通孔，直接到达红外测温器的感温头，因此，红外测温器可以准确测量坩埚内熔体的温度。

附图说明

图1是本实用新型中晶体生长测温装置的正视图。

图2是本实用新型中晶体生长测温装置的立体图。