[实用新型]发光二极管和显示装置有效
申请号: | 202121849749.5 | 申请日: | 2021-08-09 |
公开(公告)号: | CN215578596U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 杨人龙;张平;林雅雯;张中英 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/44;G09F9/33 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
外延结构,所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层;所述外延结构包括相对的第一表面及第二表面;
第一电极,位于所述外延结构的第一表面侧,所述第一电极至少包括第一焊盘电极,所述第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接;
第二电极,位于所述外延结构的第一表面侧,所述第二电极包括第二焊盘电极及第二接触电极,所述第二接触电极与所述第二半导体层电连接,所述第二焊盘电极与所述第二接触电极电连接;
绝缘层,覆盖所述外延结构及所述第二接触电极,所述绝缘层的上表面形成有与所述第二接触电极相对应的第一凸起结构;
第一覆盖保护层,覆盖部分所述第一凸起结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,部分所述第二接触电极位于所述第二焊盘电极与所述外延结构的第一表面之间,部分所述第二接触电极延伸超出所述第一焊盘电极。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一覆盖保护层包括金属层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述的第二接触电极为条状,从所述外延结构的第一表面侧俯视,所述的第二接触电极的条状部分偏离外延结构的中心。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,从所述外延结构的第一表面侧俯视,所述第二接触电极的条状部分与外延结构的中心的最小间距大于等于25μm。
6.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述第二接触电极与所述外延结构的中心的距离大于所述第二接触电极与所述外延结构的边缘的距离。
7.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,还包括电流阻挡块,位于所述的第二接触电极与所述外延结构的第一表面之间。
8.根据权利要求7所述的发光二极管,其特征在于,所述的第一覆盖保护层的宽度大于等于所述电流阻挡块的宽度。
9.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述的第一覆盖保护层与所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极具有间距。
10.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述绝缘层中至少设置两个通孔,所述第一焊盘电极及所述第二焊盘电极均位于所述绝缘层上,且所述第一焊盘电极经由一通孔与所述第一半导体层电连接,所述第二焊盘电极经由另一所述通孔与所述第二接触电极相连接。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光二极管,其特征在于,所述外延结构包括电极台面,所述电极台面包括贯穿所述第二半导体层及所述发光层的斜面及露出部分所述第一半导体层的平面区;所述第一电极还包括第一接触电极,所述第一接触电极位于所述平面区,与所述第一半导体层形成欧姆接触,并与所述第一焊盘电极电连接;所述第一接触电极自所述第一焊盘电极沿所述平面区向所述第二焊盘电极延伸,所述绝缘层的上表面形成有与所述第一接触电极相对应的第二凸起结构。
12.根据权利要求11所述的发光二极管,其特征在于,所述的电极台面位于所述外延结构的边缘,所述发光二极管还包括第二覆盖保护层,所述第二覆盖保护层覆盖部分所述第二凸起结构。
13.根据权利要求12所述的发光二极管,其特征在于,所述第二覆盖保护层和所述第一覆盖保护层均与所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极具有间距。
14.根据权利要求1或3所述的发光二极管,其特征在于,所述第一覆盖保护层包括位于最上表面的绝缘层。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至14任一项所述的发光二极管。
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