[实用新型]发光二极管和显示装置

说明书

本实用新型涉及一种发光二极管，包括：外延结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；外延结构包括相对的第一表面及第二表面，第一表面具有至少一顶针作业区域；第一电极，至少包括第一焊盘电极，第一焊盘电极与第一半导体层电连接；第二电极，包括第二焊盘电极及第二接触电极，第二接触电极与第二半导体层电连接，第二焊盘电极与第二接触电极电连接；第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域，并向第一焊盘电极的方向延伸；绝缘层，覆盖外延结构及第二接触电极，绝缘层的上表面形成有与第二接触电极相对应的第一凸起结构；第一覆盖保护层，覆盖部分第一凸起结构。上述发光二极管可以降低外力对脆性薄膜的冲击风险。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管和显示装置。

背景技术

目前的倒装(flip chip)芯片制作工艺主要通过ICP(inductively coupledplasma，电感耦合等离子体)刻蚀工艺在外延层上制作P/N台面，而后再制作传导电极，然后在此基础上制作反射层以及绝缘层，最后在绝缘层上进行焊线垫(bonding pad)制作；此类芯片具有较高的出光效率。但在芯片封装工艺上，由于芯片打线(bonding)工艺需求，存在顶针直接与反射层和绝缘层接触受力现象，由于绝缘层一般属于脆性材质，在受力较大以及顶针材质较硬的情况下，当受力点在芯片台面处时，容易导致绝缘层开裂现象，从而影响产品在使用中的性能。

实用新型内容

基于此，有必要针对LED芯片表面的凸起区域容易被顶针顶破进而导致芯片异常的问题，提供一种发光二极管、发光模块和显示装置。

一种发光二极管，包括：外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；所述外延结构包括相对的第一表面及第二表面；第一电极，位于所述外延结构的第一表面侧，所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第一焊盘电极与所述第一半导体层电连接；第二电极，位于所述外延结构的第一表面侧，所述第二电极包括第二焊盘电极及第二接触电极，所述第二接触电极与所述第二半导体层电连接，所述第二焊盘电极与所述第二接触电极电连接；绝缘层，覆盖所述外延结构及所述第二接触电极，所述绝缘层的上表面形成有与所述第二接触电极相对应的第一凸起结构；第一覆盖保护层，覆盖部分所述第一凸起结构。

上述发光二极管的第二接触电极的延伸绕开顶针作业区，可以避开大部分顶针接触凸起结构的风险；同时通过在绝缘层对应第二接触电极的第一凸起结构部分设置第一覆盖保护层，即使偶尔出现顶针超出顶针作业区域，顶到第一凸起结构附近凸起区域，得益于第一覆盖保护层的保护作用，也可以有效防止顶针顶破第一凸起结构所在的凸起区域。

在其中一个实施例中，部分所述第二接触电极位于所述第二焊盘电极与所述外延结构的第一表面之间，部分所述第二接触电极延伸超出所述第一焊盘电极。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层包括金属层。

在其中一个实施例中，所述的第二接触电极为条状，从所述外延结构的第一表面侧俯视，所述的第二接触电极的条状部分偏离外延结构的中心。

在其中一个实施例中，从所述外延结构的第一表面侧俯视，所述第二接触电极的条状部分与外延结构的中心的最小间距大于等于25μm。

在其中一个实施例中，所述第二接触电极与所述外延结构的中心的距离大于所述第二接触电极与所述外延结构的边缘的距离。

在其中一个实施例中，还包括电流阻挡块，所述电流阻挡块位于所述第二接触电极与所述外延结构的第一表面之间。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层的宽度大于等于所述电流阻挡块的宽度。

在其中一个实施例中，所述第一覆盖保护层与所述第一焊盘电极和/或所述第二焊盘电极具有间距。