[实用新型]用于半导体芯片制造的刻蚀装置

说明书

本实用新型属于芯片制造领域，具体为用于半导体芯片制造的刻蚀装置，包括操作台、晶圆片夹取机构、刻蚀机构和清洗机构，所述刻蚀机构包括刻蚀液储藏箱、刻蚀液水泵、刻蚀液连通管、刻蚀液管道支架和刻蚀液反应池，所述刻蚀液储藏箱设置在所述操作台一侧，所述刻蚀液水泵设置在所述刻蚀液储藏箱内侧底部，所述刻蚀液连通管的一端设置在所述刻蚀液水泵的输出端外侧，所述刻蚀液反应池设置在所述操作台上方。通过本实用新型使用清洗池和流动清洗水相互配合，可以先将从刻蚀反应池中取出的晶圆片放入清洗池，从而快速稀释刻蚀液浓度，降低反应速度，然后再用流动的清洗水对晶圆片进行冲洗，彻底将晶圆片表面的刻蚀液清洗干净。

技术领域

本实用新型属于芯片制造领域，具体是涉及用于半导体芯片制造的刻蚀装置。

背景技术

半导体芯片在生产时会使用到刻蚀工艺，湿刻蚀就是利用合适的化学溶液腐蚀去除材质上未被光阻覆盖(感光膜)的部分，达到一定的雕刻深度。当前市面上的刻蚀装置在刻蚀完成后对晶圆片进行清洗时速度较慢，效率低，残留在晶圆片表面的刻蚀溶液仍会与晶圆片继续发生化学反应，从而影响刻蚀精度。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于提供用于半导体芯片制造的刻蚀装置。

本实用新型所采用的的技术方案如下：

用于半导体芯片制造的刻蚀装置，包括操作台、晶圆片夹取机构、刻蚀机构和清洗机构，所述刻蚀机构包括刻蚀液储藏箱、刻蚀液水泵、刻蚀液连通管、刻蚀液管道支架和刻蚀液反应池，所述刻蚀液储藏箱设置在所述操作台一侧，所述刻蚀液水泵设置在所述刻蚀液储藏箱内侧底部，所述刻蚀液连通管的一端设置在所述刻蚀液水泵的输出端外侧，所述刻蚀液反应池设置在所述操作台上方，所述刻蚀液管道支架设置在所述刻蚀液反应池靠近所述刻蚀液储藏箱一侧，所述刻蚀液连通管上部设置在所述刻蚀液管道支架内侧，所述清洗机构包括清洗水储藏箱、清洗水泵、清洗水连通管、清洗水管道支架和清洗池，所述清洗水储藏箱设置在所述操作台下方，所述清洗水泵设置在所述清洗水储藏箱内侧底部，所述清洗水连通管一端设置在所述清洗水泵的输出端外侧，所述清洗池设置在所述操作台上方远离所述刻蚀液储藏箱一侧，所述清洗水管道支架设置在所述清洗池前方，所述清洗水连通管上部设置在所述清洗水管道支架内侧。

优选地：所述刻蚀液储藏箱与所述操作台通过螺栓连接，所述刻蚀液水泵与所述刻蚀液储藏箱通过螺栓连接，所述刻蚀液连通管与所述刻蚀液水泵的输出端通过扎箍链接，所述刻蚀液反应池与所述操作台通过螺栓连接，所述刻蚀液管道支架与所述刻蚀液反应池通过螺栓连接，所述刻蚀液连通管与所述刻蚀液管道支架通过扎箍连接。

优选地：所述清洗水储藏箱与所述操作台通过螺栓连接，所述清洗水泵与所述清洗水储藏箱通过螺栓连接，所述清洗水连通管与所述清洗水泵的输出端通过扎箍链接，所述清洗池与所述操作台通过螺栓连接，所述清洗水管道支架与所述清洗池通过螺栓连接，所述清洗水连通管与所述清洗水管道支架通过扎箍链接。

优选地：所述晶圆片夹取机构包括活动支架、水平电动缸、垂直电动缸和晶圆片夹，所述活动支架设置在所述操作台上方前部，所述水平电动缸的固定部设置在所述操作台上方在所述活动支架一侧，所述水平电动缸的伸缩部设置在所述水平电动缸的固定部与所述活动支架之间，所述垂直电动缸的固定部设置在所述活动支架后部上方，所述晶圆片夹设置在所述垂直电动缸的伸缩部下方。

优选地：所述操作台上方成型有限位槽，所述活动支架与所述操作台通过限位槽滑动连接，所述水平电动缸的固定部与所述操作台通过螺栓连接，所述水平电动缸的伸缩部与所述活动支架通过螺栓连接，所述垂直电动缸的固定部与所述活动支架通过螺栓连接固定连接，所述晶圆片夹与所述垂直电动缸的伸缩部通过螺栓连接。