[实用新型]一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架

说明书

本实用新型涉及一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架，其引线框架中心区金属片的开口区域和金属片的边缘区域制作成台阶状结构，第一层台阶用于缓存焊接界面溢出的多余焊料，能更有效地防止多余的溢出焊料流淌到外壳安装面即第二层台阶。此新结构能够改善外壳安装面的平整度，从而保障真空吸台对外壳背面的牢固吸附。

技术领域

本实用新型是一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架，用于封装小型化频率源、微波变频器、图像传感器等微波半导体集成电路模块，属于混合集成电路外壳技术领域。

背景技术

近年来,基于高温共烧多层陶瓷(High Temperature Cofired Ceramic ,以下简称HTCC)工艺的陶瓷金属表贴(Surface Mounting)外壳在小型化频率源、微波变频器、图像传感器等数模混合集成电路的封装中得到广泛应用。此类外壳的结构特点是：(1)HTCC基板的上表面与金属框架焊接构成腔体，对容纳其中的有源和无源元件起机械支撑和环境保护作用; (2)HTCC基板通过内部多层布线实现内部元件之间的电连接和信号传输，基板的下表面则与引线框架相焊接，引线框架是整个外壳的输入输出物理端口。由于HTCC基板同时承担结构和电路功能，此类外壳也被称为一体化外壳。

陶瓷金属表贴外壳的引线框架的中心区金属片面积较大，通常需做十字开口或其他形状开口，用于释放气体和多余焊料，以减缓结构应力和提高外壳安装面平面度。现有的开口多是宽度一致的直通开口。多余焊料有溢出并流淌到外壳安装面的可能。对于使用真空吸台固定外壳进行微组装贴芯片的场景，假如外壳安装面有较多的溢出焊料，则由于外壳安装面不平，则真空吸嘴与金属片之间就有气体泄漏，造成外壳无法被牢固吸附。

实用新型内容

本实用新型提出的是一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架，其目的在于针对现有技术存在的缺陷，通过引线框架的结构优化设计，改善外壳安装面平面度，提高产品的良率。

本实用新型的技术解决方案：一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架，包括金属片和引脚，所述引线框架焊接在HTCC基板的下底面，四边设有引脚做为输入输出接口，引线框架中心区的金属片用于接地和散热，金属片上制作有开口，其特征在于：所述金属片的开口区域和边缘区域为台阶状结构。

所述台阶状结构为双层台阶结构，第一层台阶对焊料的流淌具有阻挡作用，蓄积多余的溢出焊料，防止焊料流淌到第二层台阶即外壳的安装面。

所述第一层台阶的宽度为0.1mm～0.5mm，厚度为金属片总厚度的20%～80%。

所述开口位置避开后续工艺中用于吸附外壳的真空吸嘴的作用区域。

所述开口图形宽度为0.1mm～0.5mm

所述开口为中心设有上下贯通的十字型开口。

所述开口为以中心线为对称轴，两侧各设有一个上下贯通的十字开口。

所述开口面用于面向HTCC基板焊接。

所述开口面的背面用于面向HTCC基板焊接。

本实用新型的有益效果：本实用新型在引线框架的中心区金属片的开口区域和金属片的边缘区域制作台阶状结构，所述台阶状结构的开口可防止引线框架与HTCC 基板之间多余的溢出焊料流淌至外壳安装面，对溢出焊料具有较好的缓冲和蓄积作用，从而改善了外壳安装面的平面度，已经通过了批量试验验证。采用本实用新型的引线框架制作的陶瓷金属表贴外壳安装面平整度满足了真空吸台牢固吸附的要求。同时外壳生产过程中，钎焊工序焊料的溢出更加容易控制，提高了钎焊工序的良品率。

附图说明

图1为引线框架中心金属片开口为直通结构的陶瓷金属表贴外壳的结构示意图；

图2为引线框架中心金属片开口和边缘制作台阶状结构的示意图；