[实用新型]半导体用高纯石英材料制备设备有效

专利信息
申请号: 202121925879.2 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN215440191U 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 沈恒文;王玮康;唐浩;代悦明;夏美芳 申请(专利权)人: 江苏艾匹克半导体设备有限公司
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00
代理公司: 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 代理人: 陆婉
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 高纯 石英 材料 制备 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体用高纯石英材料制备设备,包括设备本体和与设备本体连通设置的排气口,其特征在于,所述排气口横截面为圆形,所述排气口内固定设置有导流组件,所述导流组件包括外侧的导流筒,所述导流筒固定设置在排气口内部,所述导流筒的外侧与排气口的内壁相贴合,所述导流筒的内壁固定设置有若干均与分布的导流板,相邻的两个所述导流板顶部之间的距离和底部之间的距离相同。

2.根据权利要求1所述的半导体用高纯石英材料制备设备,其特征在于,所述导流板的宽度小于排气口的半径,每个所述导流板靠近排气口中心线的一侧与相邻的两个导流板之间间隔设置。

3.根据权利要求2所述的半导体用高纯石英材料制备设备,其特征在于,所述导流板与排气口内壁连接的一端的两侧均倒角设置,所述导流板与排气口中心线相对的一端倒角设置。

4.根据权利要求3所述的半导体用高纯石英材料制备设备,其特征在于,每个所述导流板的上下两端分别与导流筒的上下两侧平齐。

5.根据权利要求4所述的半导体用高纯石英材料制备设备,其特征在于,每个所述导流板均倾斜设置,且每个所述导流板的倾斜角度均相同。

6.根据权利要求5所述的半导体用高纯石英材料制备设备,其特征在于,所述导流板与导流筒连接一端的厚度大于其与导流筒中心线相对一侧的厚度,所述导流板与导流筒内壁一体设置。

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