[实用新型]一种太阳电池、绒面结构

权利要求书

1.一种绒面结构，形成于硅片的表面，所述表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域，其特征在于，绒面结构包括：

第一绒面，形成于所述栅线遮盖区域；

第二绒面，形成于所述受光暴露区域；

其中，所述第一绒面的绒面尺寸大于所述第二绒面的绒面尺寸。

2.根据权利要求1所述的绒面结构，其特征在于，所述第一绒面的绒面尺寸为2μm至5μm；

或者，所述第一绒面的绒面尺寸为3μm至4μm。

3.根据权利要求1或2项所述的绒面结构，其特征在于，所述第二绒面的绒面尺寸为1μm至2μm。

4.根据权利要求1所述的绒面结构，其特征在于，所述第一绒面和所述第二绒面分别独立地包括金字塔绒面、凹坑绒面或黑硅绒面。

5.根据权利要求1或4所述的绒面结构，其特征在于，所述栅线遮盖区域的数量为多个，且各个栅线遮盖区域对应的所述第一绒面为同类绒面；

和/或，所述受光暴露区域的数量为多个，且各个受光暴露区域对应的所述第二绒面为同类绒面。

6.一种太阳电池，其特征在于，具有根据权利要求1至5中任意一项所述的绒面结构。

7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述绒面结构的数量为一个且位于所述硅片的正面或背面；

或者，所述绒面结构的数量为两个且分别位于所述硅片的正面和背面。

8.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述绒面结构的数量为两个，且分别位于所述太阳电池的正面和背面，且位于所述硅片的正面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型与位于所述硅片的背面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型相同，位于所述硅片的正面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型与位于所述硅片的背面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型相同。

9.根据权利要求6或7或8所述的太阳电池，其特征在于，所述电池为基于异质结的太阳电池，或者所述电池为基于异质结的双面太阳电池。

10.根据权利要求9所述的太阳电池，其特征在于，所述电池为基于异质结的双面太阳电池，且所述太阳电池包括N型单晶硅以及从其正面依次堆叠的本征非晶硅、N+掺杂非晶硅、正面透明导电氧化物以及正面电极，从其背面依次堆叠的本征非晶硅、P+掺杂非晶硅、背面透明导电氧化物以及背面电极。