[实用新型]一种太阳电池、绒面结构有效
申请号: | 202121936426.X | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN216250748U | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 孙林;杜俊霖;陈功兵;张林;杨秀清;刘香飞;闫涛;潘登 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(金堂)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付兴奇 |
地址: | 610400 四川省成都市金*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 结构 | ||
一种太阳电池、绒面结构,属于太阳电池领域。绒面结构是形成于硅片的表面的,并且该表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域。基于此,绒面结构包括:形成于所述栅线遮盖区域的第一绒面、形成于所述受光暴露区域的第二绒面;其中所述第一绒面的绒面尺寸大于所述第二绒面的绒面尺寸。该绒面结构可以提高电池的电学性能。
技术领域
本申请涉及太阳电池领域,具体而言,涉及一种太阳电池、绒面结构。
背景技术
作为能量转换器件,太阳电池的转换效率以及转换成本是其重要的。
目前,在各类太阳电池中,基于单晶硅的异质结型太阳电池的转换效率尤为突出。在制作太阳电池的过程中,通常会涉及到对单晶硅进行制绒,但是目前的制绒还存在一些问题,因此有必要优化制绒质量以改善电池性能。
实用新型内容
本申请提出了一种太阳电池、绒面结构,其可以用于改善电池的短路电流和填充因子。本申请是这样实现的:
在第一方面,本申请的示例提出了一种形成于硅片的表面的绒面结构,其中的硅片的表面具有栅线遮盖区域和受光暴露区域。
该绒面结构包括:
第一绒面,形成于栅线遮盖区域;
第二绒面,形成于受光暴露区域;
其中,第一绒面的绒面尺寸大于第二绒面的绒面尺寸。
根据本申请的一些示例,第一绒面的绒面尺寸为2μm至5μm;或者,第一绒面的绒面尺寸为3μm至4μm。
根据本申请的一些示例,第二绒面的绒面尺寸为1μm至2μm。
根据本申请的一些示例,第一绒面和第二绒面分别独立地包括金字塔绒面、凹坑绒面或黑硅绒面。
根据本申请的一些示例,栅线遮盖区域的数量为多个,且各个栅线遮盖区域对应的第一绒面为同类绒面;和/或,受光暴露区域的数量为多个,且各个受光暴露区域对应的第二绒面为同类绒面。
在第二方面,本申请示例提出了一种具有上述绒面结构的太阳电池。
根据本申请的一些示例,绒面结构的数量为一个且位于硅片的正面或背面;或者,绒面结构的数量为两个且分别位于硅片的正面和背面。
根据本申请的一些示例,绒面结构的数量为两个,且分别位于太阳电池的正面和背面,且位于硅片的正面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型与位于硅片的背面的绒面结构中的第一绒面的绒面类型相同,位于硅片的正面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型与位于硅片的背面的绒面结构中的第二绒面的绒面类型相同。
根据本申请的一些示例,电池为基于异质结的太阳电池,或者电池为基于异质结的双面太阳电池。
根据本申请的一些示例,电池为基于异质结的双面太阳电池,且太阳电池包括N型单晶硅以及从其正面依次堆叠的本征非晶硅、N+掺杂非晶硅、正面透明导电氧化物以及正面电极,从其背面依次堆叠的本征非晶硅、P+掺杂非晶硅、背面透明导电氧化物以及背面电极。
在以上实现过程中,本申请实施例提供的绒面结构,通过对电池在栅线的覆盖区域以及非栅线遮盖区域进行区别性的制绒,从而在栅线接触区域具有大绒面尺寸的绒面,而在非栅线接触区域具有小绒面尺寸的绒面。如此,上述的选择性分布的绒面结构能够为电池带来更好的电学性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能(金堂)有限公司,未经通威太阳能(金堂)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121936426.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的