[实用新型]一种电容器、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 202121959460.9 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN216287994U 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 吕广爽;王世君;王继国;冯博;王洋;魏旃;丁腾飞;刘屹;杨心澜;台玉可;陈公达 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/002;G02F1/1362
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容器 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种电容器,其特征在于,包括公共电极、源漏金属层、第一透明电极,其中,所述公共电极和所述第一透明电极分层设置,所述源漏金属层位于所述第一透明电极和所述公共电极两层之间,所述第一透明电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠,所述公共电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠。

2.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述第一透明电极与所述公共电极之间通过第一过孔电连接。

3.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,还包括第二透明电极,所述第二透明电极与所述公共电极同层设置。

4.根据权利要求3所述的电容器,其特征在于,所述第二透明电极与所述源漏金属层之间通过第二过孔电连接。

5.根据权利要求3所述的电容器,其特征在于,所述第二过孔为第一透明电极上图案化形成,所述第二过孔自所述第一透明电极所在层位置处延伸至所述源漏金属层和所述第二透明电极的位置处。

6.根据权利要求3所述的电容器,其特征在于,所述第二透明电极为像素电极。

7.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述源漏金属层与所述第一透明电极之间形成第一电容,所述第一电容的电容量与所述源漏金属层与所述第一透明电极之间的交叠面积正相关,且与所述源漏金属层与所述第一透明电极之间的距离负相关。

8.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述源漏金属层与所述公共电极之间形成第二电容,所述第二电容的电容量与所述源漏金属层与所述公共电极之间的交叠面积正相关,且与所述源漏金属层与所述公共电极之间的距离负相关。

9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的电容器。

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的电容器。

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