[实用新型]一种电容器、阵列基板及显示装置

说明书

本实用新型公开了一种电容器、阵列基板及显示装置，其中，一种电容器包括公共电极、源漏金属层、第一透明电极，其中，所述公共电极和所述第一透明电极分层设置，所述源漏金属层位于所述第一透明电极和所述公共电极两层之间，所述第一透明电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠，所述公共电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠。本实用新型实施例提供的电容器，相较于现有技术中的电容器，相同的交叠面积下得到的电容翻倍，既不影响像素开口率又可以极大限度的增大存储电容，进而改善串扰等问题。实现显示画质改善，提升产品竞争力。

技术领域

本实用新型一般涉及显示技术领域，具体涉及一种电容器、阵列基板及显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示屏中，串扰即为屏幕中某一区域的显示会受到相邻区域的影响，从而造成画面显示异常的一种现象。经过分析发现串扰的大小与Cpd/Cst(耦合电容/存储电容)成正比，由此可知，影响串扰大小的一个重要因素是存储电容Cst，增大Cst是一种改善串扰问题十分有效的方法。

然后现有技术中，增大存储电容的同时，会导致液晶显示屏的降低开口率，影响显示效果。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种电容器、阵列基板及显示装置，可以增大存储电容，同时不影响液晶显示屏的开口率。

第一方面，本申请提供了一种电容器，包括公共电极、源漏金属层、第一透明电极，其中，所述公共电极和所述第一透明电极分层设置，所述源漏金属层位于所述第一透明电极和所述公共电极两层之间，所述第一透明电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠，所述公共电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠。

可选地，所述第一透明电极与所述公共电极之间通过第一过孔电连接。

可选地，还包括第二透明电极，所述第二透明电极与所述公共电极同层设置。

进一步地，所述第二透明电极与所述源漏金属层之间通过第二过孔电连接。

可选地，所述第二过孔为第一透明电极上图案化形成，所述第二过孔自所述第一透明电极所在层位置处延伸至所述源漏金属层和所述第二透明电极的位置处。

可选地，所述第二透明电极为像素电极。

进一步地，所述源漏金属层与所述第一透明电极之间形成第一电容，所述第一电容的电容量与所述源漏金属层与所述第一透明电极之间的交叠面积正相关，且与所述源漏金属层与所述第一透明电极之间的距离负相关。

进一步地，所述源漏金属层与所述公共电极之间形成第二电容，所述第二电容的电容量与所述源漏金属层与所述公共电极之间的交叠面积正相关，且与所述源漏金属层与所述公共电极之间的距离负相关。

第二方面，本申请提供了一种阵列基板，包括如以上任一所述的电容器。

第三方面，本申请提供了一种显示装置，其特征在于，包括如任一所述的电容器。

本实用新型的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本实用新型实施例提供的电容器，相较于现有技术中的电容器，相同的交叠面积下得到的电容翻倍，既不影响像素开口率又可以极大限度的增大存储电容，进而改善串扰等问题。实现显示画质改善，提升产品竞争力。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型的实施例提供的一种电容器的结构示意图；

图2为本实用新型的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图3为对应图2中b位置处的截面图；