[实用新型]一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置有效

专利信息
申请号: 202121965680.2 申请日: 2021-08-20
公开(公告)号: CN215728722U 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 魏昊云;顾子洋;易鑫;谢媛;漆启年;李同宁;游毓麒 申请(专利权)人: 无锡源清瑞光激光科技有限公司
主分类号: G01R31/52 分类号: G01R31/52;G01R31/54;G01R31/66;H01L21/66
代理公司: 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 代理人: 曹慧萍
地址: 214000 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 辐射 半导体 二极管 管壳 状态 检测 装置
【权利要求书】:

1.一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置,其特征在于,包括信号源、差分放大电路、第一连接端、第二连接端和输出信号处理单元,所述信号源被配置于产生检测信号,所述信号源的信号输出端分别和所述第一连接端和差分放大电路的正输入端电连接,所述差分放大电路的负输入端与所述第二连接端电连接,所述差分放大电路的信号输出端、信号源的信号输出端和第二连接端分别与所述输出信号处理单元电连接。

2.根据权利要求1所述的一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置,其特征在于,所述输出信号处理单元是示波器,所述示波器对所述差分放大电路的信号输出端、信号源的信号输出端和第二连接端的信号进行显示。

3.根据权利要求1所述的一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置,其特征在于,所述信号源输出的检测信号为频率可调的正弦信号或者频率和脉宽可调的方波信号。

4.根据权利要求1所述的一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置,其特征在于,所述差分放大电路包括运算放大器CMP、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4,所述差分放大器CMP的正向输入端分别与电阻R1一端和电阻R3一端电连接,所述电阻R1另一端与信号源的信号输出端电连接,所述电阻R3另一端与差分放大器CMP的输出端电连接,所述差分放大器CMP的负向输入端分别与电阻R2一端和电阻R4一端电连接,所述电阻R2另一端与所述第二连接端电连接,所述电阻R4另一端接地。

5.根据权利要求1所述的一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置,其特征在于,所述输出信号处理单元包括控制器和显示单元,所述控制器的信号接收端分别与所述差分放大电路的信号输出端、信号源的信号输出端和第二连接端电连接,所述控制器和显示单元电连接。

6.根据权利要求5所述的一种超辐射半导体二极管的管壳状态检测装置,其特征在于,所述显示单元为显示屏或者多个指示灯,所述控制器通过所述显示屏显示检测信息或者驱动所述指示灯发亮显示检测信息。

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