[实用新型]存储芯片有效
申请号: | 202122035387.2 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN216120264U | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 谈杰;俞冰;黎美 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L25/065;H01L27/108 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 芯片 | ||
1.一种存储芯片,其特征在于,包括:
第一晶圆,包括第一衬底、第一金属层和连接所述第一金属层的第一连接孔;所述第一连接孔设置于所述第一衬底的一侧,或设置于背离所述第一衬底的一侧;
第二晶圆,包括第二衬底、第二金属层和连接所述第二金属层的第二连接孔;所述第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧,或,设置于背离所述第二衬底的一侧;其中,所述第一晶圆和所述第二晶圆层叠设置,且所述第一晶圆的第一连接孔与所述第二晶圆的第二连接孔键合连接。
2.根据权利要求1所述的存储芯片,其特征在于,所述第一晶圆还包括:
第一通孔,贯穿所述第一衬底;
第一金属线,穿过所述第一通孔并延伸至所述第一衬底的表面,以分别与所述第一金属层和所述第一连接孔连接。
3.根据权利要求1所述的存储芯片,其特征在于,所述第二晶圆还包括:
第二通孔,贯穿所述第二衬底;
第二金属线,穿过所述第二通孔并延伸至所述第二衬底的表面,以分别与所述第二金属层和所述第二连接孔连接。
4.根据权利要求1所述的存储芯片,其特征在于,所述第一晶圆至少包括以下任意一项或其组合:
第一子晶圆;所述第一子晶圆包括第一子通孔和第一子金属线,所述第一子金属线穿过所述第一子通孔并延伸至第一子衬底的表面,并与自身的子连接孔连接;
第二子晶圆;所述第二子晶圆包括第二子通孔和第二子金属线,所述第二子金属线穿过所述第二子通孔并延伸至第二子衬底的表面,并与自身的子连接孔连接;
其中,所述第一子晶圆的自身的子连接孔与所述第二子晶圆的自身的子连接孔连接。
5.根据权利要求1所述的存储芯片,其特征在于,所述第一晶圆至少包括:第一子晶圆和第二子晶圆;所述第一子晶圆的自身的子连接孔与所述第二晶圆的第二连接孔连接。
6.根据权利要求5所述的存储芯片,其特征在于,所述第一子晶圆的自身的子连接孔设置于第一子衬底的一侧;所述第二子晶圆的自身的子连接孔设置于第二子衬底的一侧,或设置于背离所述第二子衬底的一侧。
7.根据权利要求5所述的存储芯片,其特征在于,所述第一子晶圆的自身的子连接孔设置于背离第一子衬底的一侧;所述第二子晶圆的自身的子连接孔设置于第二子衬底的一侧,或设置于背离所述第二子衬底的一侧。
8.根据权利要求6或7所述的存储芯片,其特征在于,所述第一子晶圆的自身的子连接孔设置于第一子衬底的一侧;所述第二晶圆的第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧,或设置于背离所述第二衬底的一侧。
9.根据权利要求6或7所述的存储芯片,其特征在于,所述第一子晶圆的自身的子连接孔设置于背离第一子衬底的一侧;所述第二晶圆的第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧,或设置于背离所述第二衬底的一侧。
10.根据权利要求1所述的存储芯片,其特征在于,所述第一晶圆为存储晶圆,所述第二晶圆为逻辑晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造