[实用新型]存储芯片

说明书

本申请提供一种存储芯片。该存储芯片包括第一晶圆和第二晶圆；其中，第一晶圆包括第一衬底、第一金属层和连接第一金属层的第一连接孔；第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；第二晶圆包括第二衬底、第二金属层和连接第二金属层的第二连接孔；第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；其中，第一晶圆和第二晶圆层叠设置，且第一晶圆的第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔键合连接。该存储芯片对准度较高，线宽、线距以及产品体积较小。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储芯片。

背景技术

高带宽存储芯片(High Bandwidth Memory，HBM)是超微半导体和SK Hynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储芯片带宽需求的应用场合，比如，图形处理器、网络交换及转发设备(如路由器、交换器)等。

目前，参见图1，图1为现有技术中制备存储芯片的流程示意图；在HBM的制备过程中，一般先提供存储晶圆和逻辑晶圆，并对存储晶圆和逻辑晶圆进行测试；其中，存储晶圆和逻辑晶圆上均制作有硅通孔(through silicon via，TSV)；然后对测试后的存储晶圆进行切割以形成若干小颗粒；将若干小颗粒层叠设置以堆叠成两层、四层、八层或十二层等多层的颗粒堆；之后将堆叠好的颗粒堆层叠设置在经测试后的第二晶圆上，以形成存储芯片。

然而，现有存储芯片的对准精度较低，线宽、线距以及产品体积较大。

实用新型内容

本申请提供的存储芯片，能够解决现有存储芯片对准精度较低，线宽、线距以及产品体积较大的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种存储芯片。该存储芯片包括：第一晶圆，包括第一衬底、第一金属层和连接第一金属层的第一连接孔；第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；第二晶圆，包括第二衬底、第二金属层和连接第二金属层的第二连接孔；第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；其中，第一晶圆和第二晶圆层叠设置，且第一晶圆的第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔键合连接。

其中，第一晶圆还包括：第一通孔，贯穿第一衬底；第一金属线，穿过第一通孔并延伸至第一衬底的表面，以分别与第一金属层和第一连接孔连接。

其中，第二晶圆还包括：第二通孔，贯穿第二衬底；第二金属线，穿过第二通孔并延伸至第二衬底的表面，以分别与第二金属层和第二连接孔连接。

其中，第一晶圆至少包括以下任意一项或其组合：第一子晶圆；第一子晶圆包括第一子通孔和第一子金属线，第一子金属线穿过第一子通孔并延伸至第一子衬底的表面，并与自身的子连接孔连接；第二子晶圆；第二子晶圆包括第二子通孔和第二子金属线，第二子金属线穿过第二子通孔并延伸至第二子衬底的表面，并与自身的子连接孔连接；其中，第一子晶圆的自身的子连接孔与第二子晶圆的自身的子连接孔连接。

其中，第一晶圆至少包括：第一子晶圆和第二子晶圆；第一子晶圆的自身的子连接孔与第二晶圆的第二连接孔连接。

其中，第一子晶圆的自身的子连接孔设置于第一子衬底的一侧；第二子晶圆的自身的子连接孔设置于第二子衬底的一侧，或设置于背离第二子衬底的一侧。

其中，第一子晶圆的自身的子连接孔设置于背离第一子衬底的一侧；第二子晶圆的自身的子连接孔设置于第二子衬底的一侧，或设置于背离第二子衬底的一侧。

其中，所述第一子晶圆的自身的子连接孔设置于第一子衬底的一侧；所述第二晶圆的第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧，或设置于背离所述第二衬底的一侧。

其中，所述第一子晶圆的自身的子连接孔设置于背离第一子衬底的一侧；所述第二晶圆的第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧，或设置于背离所述第二衬底的一侧。