[实用新型]一种Micro LED封装结构

说明书

本实用新型公开了一种Micro LED封装结构，包括基板；所述基板上设置有上芯基岛，所述上芯基岛上设置有LED芯片，LED芯片与上芯基岛之间通过芯片焊盘进行连接，所述上芯基岛上设置有锡镀层，芯片焊盘的表面设置有锡镀层，上芯基岛的锡镀层与芯片焊盘的锡镀层通过焊接形成共晶化合物进行连接，所述LED芯片上设置有塑封体进行塑封。基板上芯基岛和LED芯片焊盘表层均为锡镀层，上芯时只需在基板上涂覆绝缘助焊剂材料，通过形成共晶化合物，通过在LED芯片上增加镀锡层，直接进行焊接，在封装过程中不再需要印刷锡膏制程，所需封装空间小，满足微间距Micro LED封装需求。锡焊料形态受控，降低了微短路不良、产品可靠性高，同时提升了产品良率、成本低。

技术领域

本实用新型属于半导体领域，具体属于一种Micro LED封装结构。

背景技术

随着5G技术的发展，对显示终端像素密度提出了新的需求，尤其是在4K、8K解像度超高画质显示方面。传统的LED封装结构有两种封装结构：第一种使用正装芯片和键合丝，主要采用超声键合工艺实现；第二种使用倒装芯片和锡膏，主要采用丝网印刷和回流焊工艺实现。第一种超声键合工艺所需要的封装空间大，无法实现MicroLED显示的需求；第二种工艺所采用的锡膏在丝网印刷、上芯和回流焊制程中因累积公差和高温下锡膏的形态不受控，极易发生微短路不良，形成潜在的产品可靠性隐患，限制了MicroLED显示产品的推广和使用。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种Micro LED封装结构，高可靠性、低成本，所需封装空间小，满足微间距Micro LED封装需求。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种Micro LED封装结构，包括基板；

所述基板上设置有上芯基岛，所述上芯基岛上设置有LED芯片，LED芯片与上芯基岛之间通过芯片焊盘进行连接，所述上芯基岛上设置有锡镀层，芯片焊盘的表面设置有锡镀层，上芯基岛的锡镀层与芯片焊盘的锡镀层通过焊接形成共晶化合物进行连接，所述LED芯片上设置有塑封体进行塑封。

优选的，所述上芯基岛的表面涂覆有助焊剂。

优选的，所述上芯基岛的表面采用点胶或丝网印刷的方式涂覆助焊剂。

优选的，所述芯片焊盘的正负极位于同一侧。

优选的，上芯基岛的锡镀层与芯片焊盘的锡镀层通过回流焊形成共晶化合物进行连接。

优选的，基板为BT或FR4载板，基板的厚度范围为0.1-2.0mm。

优选的，锡镀层的厚度范围为0.01-0.03mm。

优选的，塑封体采用树脂材料。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益的技术效果：

本实用新型提供一种Micro LED封装结构，基板上芯基岛和LED芯片焊盘表层均为锡镀层，上芯时只需在基板上涂覆绝缘助焊剂材料，通过形成共晶化合物，固定所述LED芯片。通过在LED芯片上增加镀锡层，直接进行焊接，在封装过程中不再需要印刷锡膏制程，所需封装空间小，满足微间距Micro LED封装需求。锡焊料形态受控，降低了微短路不良、产品可靠性高，同时提升了产品良率、成本低。

附图说明

图1为本实用新型一种Micro LED封装结构基板单元图；

图2为本实用新型一种Micro LED封装结构芯片图；

图3为本实用新型一种Micro LED封装结构剖面图；

附图中：1为基板；2为上芯基岛；3为助焊剂；4为LED芯片；5为芯片焊盘；6为镀锡层；7为塑封体。

具体实施方式