[实用新型]用于半导体工艺设备的边磁装置和半导体工艺设备

权利要求书

1.一种用于半导体工艺设备的边磁装置，其特征在于，包括壳体组件(100)、盖体(200)和磁性件(300)，所述壳体组件(100)设置有容纳腔(110)和开口(120)，所述磁性件(300)设置于所述容纳腔(110)中；所述盖体(200)与所述壳体组件(100)能相对移动，在所述盖体(200)盖合于所述壳体组件(100)的情况下，所述磁性件(300)产生的磁场被屏蔽于所述容纳腔(110)内；在所述盖体(200)远离所述壳体组件(100)的情况下，所述磁性件(300)用于向工艺腔室(400)提供偏置磁场。

2.根据权利要求1所述的边磁装置，其特征在于，所述壳体组件(100)和所述盖体(200)均设置为环形，且所述壳体组件(100)和所述盖体(200)均套设于所述工艺腔室(400)；

所述容纳腔(110)为环绕所述工艺腔室(400)的环形凹槽，所述磁性件(300)的数量为多个，所述磁性件(300)均匀分布于所述容纳腔(110)内。

3.根据权利要求2所述的边磁装置，其特征在于，所述壳体组件(100)包括至少两个子壳体(150)，所述子壳体(150)上设置有固定部(151)，相邻的两个所述子壳体(150)通过所述固定部(151)相连。

4.根据权利要求1所述的边磁装置，其特征在于，所述壳体组件(100)和所述盖体(200)的材质均为导磁材料。

5.根据权利要求1所述的边磁装置，其特征在于，所述边磁装置还包括第一定位件(600)和第二定位件(700)，所述第一定位件(600)和所述第二定位件(700)的材质均为非导磁材料，所述第一定位件(600)设置于所述容纳腔(110)底部，且所述磁性件(300)通过所述第一定位件(600)安装于所述容纳腔(110)内；所述第二定位件(700)设置于所述盖体(200)上，在所述盖体(200)盖合于所述壳体组件(100)的情况下，所述第二定位件(700)抵接于所述磁性件(300)靠近所述盖体(200)的一端。

6.根据权利要求5所述的边磁装置，其特征在于，所述第一定位件(600)设置有第一定位孔，所述磁性件(300)靠近所述第一定位件(600)的一端设置有第一定位柱(310)，所述第一定位柱(310)至少部分内嵌于所述第一定位孔，且所述磁性件(300)通过第一定位件(600)固定设置于所述容纳腔(110)内，和/或，

所述第二定位件(700)设置有第二定位孔，所述磁性件(300)靠近所述盖体(200)的一端设置有第二定位柱(320)，在所述盖体(200)盖合于所述壳体组件(100)的情况下，所述第二定位柱(320)至少部分内嵌于所述第二定位孔。

7.根据权利要求1所述的边磁装置，其特征在于，所述容纳腔(110)的宽度为第一尺寸，所述磁性件(300)在所述容纳腔(110)的宽度方向的尺寸为第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，且所述磁性件(300)与所述容纳腔(110)的侧壁之间均具有间隙。

8.根据权利要求5所述的边磁装置，其特征在于，所述盖体(200)设置有凹槽(210)，所述凹槽(210)用于盖合所述开口(120)，在所述盖体(200)盖合于所述壳体组件(100)的情况下，所述磁性件(300)靠近所述盖体(200)的一端与所述凹槽(210)底部的距离大于或等于所述第二定位件(700)的厚度，所述凹槽(210)的内侧壁与所述壳体组件(100)的外侧壁之间具有间隙。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的边磁装置，其特征在于，所述边磁装置还包括驱动机构(500)，所述驱动机构(500)与所述盖体(200)相连，且所述驱动机构(500)用于驱动所述盖体(200)相对于所述壳体组件(100)移动。