[实用新型]用于半导体工艺设备的边磁装置和半导体工艺设备

说明书

本实用新公开一种用于半导体工艺设备的边磁装置和半导体工艺设备，涉及半导体加工设备技术领域。该边磁装置包括壳体组件、盖体和磁性件，壳体组件设置有容纳腔和开口，磁性件设置于容纳腔中；盖体与壳体能相对移动，在盖体盖合于壳体组件的情况下，磁性件产生的磁场被屏蔽于容纳腔内；在盖体远离壳体组件的情况下，磁性件用于向工艺腔室提供偏置磁场。该方案可以解决边磁体在制作两层结构的阻挡层的过程中需要反复拆装的问题。

技术领域

本实用新涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种用于半导体工艺设备的边磁装置和半导体工艺设备。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)工艺应用在硅通孔技术(through silicon via，以下简称TSV)中，主要用于在硅通孔中沉积阻挡层和籽晶层。相关技术中可以通过直流磁控溅射技术来制备阻挡层。直流磁控溅射技术制备阻挡层需要溅射和重溅射同时进行。靶材接通电源后，靶材表面受到氩离子的轰击，受到轰击后的靶材表面会同时产生原子和离子，原子和离子逐渐下落，原子最终落在晶圆表面，形成了薄膜，这个过程称之为溅射。

两层结构的阻挡层具有漏电流小，电学性能更优的特点。相关技术中，在制作阻挡层第一层沉积的过程中，下电极射频电源处于关闭状态，需要将工艺腔室外侧的边磁体取下。第一层结构制作完毕后，将边磁体安装于工艺腔室外，开启下电极射频电源，然后进行第二层结构沉积。由于反复拆装边磁体，增加了两层结构的阻挡层的制作难度。

实用新内容

本实用新公开一种用于半导体工艺设备的边磁装置和半导体工艺设备，以解决相关技术中在制作两层结构的阻挡层的过程中需要反复拆装边磁体的问题。

为了解决上述问题，本实用新采用下述技术方案：

本实用新型实施例公开的边磁装置包括壳体组件、盖体和磁性件，壳体组件设置有容纳腔和开口，磁性件设置于容纳腔中；盖体与壳体能相对移动，在盖体盖合于壳体组件的情况下，磁性件产生的磁场被屏蔽于容纳腔内；在盖体远离壳体组件的情况下，磁性件用于向工艺腔室提供偏置磁场。

基于本申请所述的反应腔室，本申请还公开一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括工艺腔室和本申请任意一项实施例所述的边磁装置，边磁装置环绕设置于工艺腔室外周，且边磁装置用于向工艺腔室提供偏置磁场。

本实用新采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开的边磁装置中，磁性件设置于容纳腔内，进而可以利用盖体将开口盖合。根据磁屏蔽原理，在盖体将开口盖合的情况下，壳体和盖体能够从各方向屏蔽磁性件产生的磁场，进而使磁性件产生的磁场仅分布于容纳腔内。在制作阻挡层第一层沉积的过程中，只需将盖体盖合于开口，即盖体盖合于壳体组件，进而无需拆卸边磁装置。在进行第二层结构沉积前，将盖体打开，即盖体远离壳体组件，进而使得磁性件产生的磁场可以分布于容纳腔的外部并用于气相沉积。因此，本申请实施例公开的边磁装置在用于制作两层结构的阻挡层的过程中，无需反复拆装边磁装置，能够降低两层结构的阻挡层的制作难度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新的进一步理解，构成本实用新的一部分，本实用新的示意性实施例及其说明用于解释本实用新，并不构成对本实用新的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型一种实施例公开的边磁装置的示意图；

图2为本实用新型一种实施例公开的壳体的示意图；

图3为本实用新型一种实施例公开的边磁装置的剖面示意图；

图4为图3中A处的放大图；

图5为本实用新型一种实施例公开的反应腔室的示意图；

图6为本实用新型一种实施例公开的盖体处于盖合壳体的示意图；