[实用新型]用于半导体工艺的工艺腔室有效
申请号: | 202122053224.7 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN215896299U | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 郭士选;黄亚辉;刘钊成 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/02 | 分类号: | H01J37/02 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 高东 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 工艺 | ||
本实用新型公开一种用于半导体工艺的工艺腔室,涉及半导体加工技术领域。该工艺腔室包括内衬、内衬接地件、真空螺钉、密封组件和腔体,内衬设置于腔体内,腔体设置有抽气端,抽气端用于抽取腔体内的气体,内衬接地件设置于内衬朝向抽气端的一侧;内衬设置有装配孔,真空螺钉穿过装配孔并与内衬接地件相连,内衬接地件开设有螺孔和排气孔,螺孔与真空螺钉螺纹配合,排气孔的第一端与螺孔的连通,排气孔的第二端与内衬接地件的远离内衬一侧连通;密封组件包括螺钉帽,螺钉帽套设于真空螺钉的远离内衬接地件的一端,且螺钉帽与内衬密封配合。该方案能解决工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种用于半导体工艺的工艺腔室。
背景技术
半导体加工工艺中,先将高真空状态下的特殊气体,例如:氩气、氦气、氮气、氢气等电离,以产生含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子的工艺气体。将晶圆曝露于包含工艺气体的工艺腔室内,以使工艺气体与晶圆相互作用,进而使得晶圆材料表面发生物理变化和化学反应,从而使材料表面性能发生变化,完成晶圆的刻蚀工艺。
随着集成电路制程的不断升级,对用于半导体工艺的工艺腔室内的洁净环境要求越高。
实用新型内容
本实用新型公开一种用于半导体工艺的工艺腔室,以解决相关技术中工艺腔室容易被颗粒物污染的问题。
为了解决上述问题,本实用新型采用下述技术方案:
本实用新型公开的用于半导体工艺的工艺腔室包括内衬、内衬接地件、真空螺钉、密封组件和腔体,
内衬设置于腔体内,腔体设置有抽气端,抽气端用于抽取腔体内的气体,内衬接地件设置于内衬朝向抽气端的一侧;内衬设置有装配孔,真空螺钉穿过装配孔并与内衬接地件相连,
内衬接地件开设有螺孔和排气孔,螺孔与真空螺钉螺纹配合,排气孔的第一端与螺孔的连通,排气孔的第二端与内衬接地件的远离内衬一侧连通;
密封组件包括螺钉帽,螺钉帽套设于真空螺钉的远离内衬接地件的一端,且螺钉帽与内衬密封配合。
本实用新型采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本实用新型实施例公开的半导体工艺设备中,通过在内衬接地件上设置与螺孔连通的排气孔,使得螺孔底部的气体可以沿排气孔排出,进而无需在螺钉帽设置通孔。并且,螺钉帽与内衬密封配合,进而可以避免真空螺钉与螺孔安装产生的颗粒物进入工艺腔室,达到防止颗粒物污染工艺腔室中位于内衬的原理内衬接地件一侧的空间。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
图1为本实用新型一种实施例公开的工艺腔室的示意图;
图2为图1中A处放大图;
图3为本实用新型一种实施例公开的固定件与螺钉帽的装配后在第一视角的示意图;
图4为本实用新型一种实施例公开的固定件与螺钉帽的装配后的剖面图;
图5为本实用新型一种实施例公开的螺钉帽的在第一视角的示意图;
图6为本实用新型一种实施例公开的螺钉帽的剖面示意图;
图7为本实用新型一种实施例公开的固定件的示意图;
图8为相关技术中工艺腔室的示意图;
图9为图8中B处放大图。
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