[实用新型]一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极；

所述第一掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应，且所述第一TCO导电层填充所述间隔区域。

2.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一电极为依次相互间隔设置的多个，多个所述第一电极沿第一方向设置，所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的正面，每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第一电极的宽度。

3.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述间隔区域的宽度为1mm-2mm；所述重掺区域的宽度为30-150um；和/或，所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm，所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。

4.根据权利要求1所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅片为N型，所述第一掺杂非晶硅层为N型，第二掺杂非晶硅层为P型；或，所述晶体硅片为P型，所述第一掺杂非晶硅层为P型，第二掺杂非晶硅层为N型。

5.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极；

所述第二掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应，且所述第二TCO导电层填充所述间隔区域。

6.根据权利要求5所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二电极为依次相互间隔设置的多个，多个所述第二电极沿第一方向设置，所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的背面，每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第二电极的宽度。

7.根据权利要求5所述的一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述间隔区域的宽度为1mm-2mm；所述重掺区域的宽度为30-150um；和/或，所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm，所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。

8.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极；

所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层均包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层及所述第二掺杂非晶硅层的所述重掺杂非晶硅层均包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，所述第一掺杂非晶硅层的多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应，且所述第一TCO导电层填充所述第一掺杂非晶硅层的所述间隔区域；所述第二掺杂非晶硅层的多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应，且所述第二TCO导电层填充所述第二掺杂非晶硅层的所述间隔区域。