[实用新型]一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件

说明书

本实用新型适用太阳能电池技术领域，提供了一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件，该异质结太阳能电池包括晶体硅片，晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极，晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极；第一掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个重掺区域分别与第一电极的位置相对应，且第一TCO导电层填充间隔区域。本实用新型提供的异质结太阳能电池可提升电池钝化效果，减小电池对光的寄生吸收效应，增大光生电流，提升太阳能电池的转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结太阳能电池及太阳能电池组件。

背景技术

能源是现代社会发展的基石，随着全球经济社会的不断发展，能源消费也持续增长，随着时间的变迁，化石能源越来越来稀缺，在化石能源紧张的背景下，大规模的开发和发明可再生资源已成为未来能源的重要战略，太阳能是最洁净的清洁能源，可再生能源。太阳能电池是太阳能发电的核心部分，异质结太阳能电池作为新型的太阳能电池，如何提高异质结太阳能电池的光电转换效率是如今的重点研究方向。

现有技术中，异质结太阳能电池的正面一般采用本征非晶硅层叠加一层厚度均匀的掺杂非晶硅层，掺杂非晶硅层整面覆盖本征非晶硅层，通常本征非晶硅层有着很好的钝化效果，而掺杂非晶硅层的厚度必须达到一定值或者掺杂浓度达到一定值，才能起到好的效果。但由于掺杂非晶硅层存在对光较大的寄生吸收效应，其厚度必须控制在比较低的范围，但是由于还需要兼备电子选择性传输的属性，使掺杂非晶硅层厚度始终无法进一步降低，导致电池对光的寄生吸收效应大，电流损失较大，从而影响异质结太阳能电池的光电转换效率。

实用新型内容

本实用新型提供一种异质结太阳能电池，旨在解决现有技术中的异质结太阳能电池对光寄生吸收效应大，从而影响异质结太阳能电池光电转换效率的问题。

本实用新型是这样实现的，提供一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极；

所述第一掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个所述重掺区域分别与所述第一电极的位置相对应，且所述第一TCO导电层填充所述间隔区域。

优选的，所述第一电极为依次相互间隔设置的多个，多个所述第一电极沿第一方向设置，所述重掺区域及所述间隔区域沿所述第一方向同时贯穿所述晶体硅片的正面，每个所述重掺区域的宽度大于对应所述第一电极的宽度。

优选的，所述间隔区域的宽度为1mm-2mm；所述重掺区域的宽度为30-150um；和/或，所述轻掺杂非晶硅层的厚度为2-4nm，所述重掺杂非晶硅层的厚度为1-3nm。

优选的，所述晶体硅片为N型，所述第一掺杂非晶硅层为N型，第二掺杂非晶硅层为P型；或，所述晶体硅片为P型，所述第一掺杂非晶硅层为P型，第二掺杂非晶硅层为N型。

本实用新型还提供一种异质结太阳能电池，包括晶体硅片，所述晶体硅片的正面依次设置第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一TCO导电层和第一电极，所述晶体硅片的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二TCO导电层和第二电极；

所述第二掺杂非晶硅层包括轻掺杂非晶硅层、以及设置于所述轻掺杂非晶硅层上的重掺杂非晶硅层，所述重掺杂非晶硅层包括通过间隔区域形成间隔的多个重掺区域，多个所述重掺区域分别与所述第二电极的位置相对应，且所述第二TCO导电层填充所述间隔区域。