[实用新型]一种触摸屏的消影结构有效
| 申请号： | 202122123935.7 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN216161081U | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 徐松;余志辉;钟素文;王超;葛晴晴;王胜 | 申请（专利权）人： | 芜湖长信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;C03C17/42 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 卢正伟;曹振中 |
| 地址： | 241009 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 触摸屏 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材(1)和导电线路层(4)之间的消影膜(3)；其特征在于：所述消影膜(3)包括依次设置的氧化铌膜层(31)、氮化硅膜层(32)和二氧化硅膜层(33)；所述氧化铌膜层(31)位于触摸屏基材(1)一侧，所述二氧化硅膜层(33)位于导电线路层(4)一侧；所述氧化铌膜层(31)与触摸屏基材(1)之间还设有触摸屏黑色边框层(2)。
2.如权利要求1所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述触摸屏基材(1)为玻璃。
3.如权利要求1所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述触摸屏黑色边框层(2)通过感光树脂材料制备而成。
4.如权利要求1或3所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述氧化铌膜层(31)通过中频磁控溅射在触摸屏黑色边框层(2)上，所述氧化铌膜层(31)的膜层厚度为
5.如权利要求4所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述氮化硅膜层(32)通过中频磁控溅射在氧化铌膜层(31)上，所述氮化硅膜层(32)的膜层厚度为
6.如权利要求5所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述二氧化硅膜层(33)中频磁控溅射在氮化硅膜层(32)上，所述二氧化硅膜层(33)的膜层厚度为
7.如权利要求1所述的一种触摸屏的消影结构，其特征在于：所述导电线路层(4)采用ITO搭桥结构。
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