[实用新型]一种触摸屏的消影结构

说明书

本实用新型公开了一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材和导电线路层之间的消影膜；所述消影膜包括依次设置的氧化铌膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层；所述氧化铌膜层位于触摸屏基材一侧，所述二氧化硅膜层位于导电线路层一侧；所述氧化铌膜层与触摸屏基材之间还设有触摸屏黑色边框层。本实用新型通过在氧化铌膜层和二氧化硅膜层之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层来调整消影膜的模层光学搭配，既保证了消影膜的消影效果，又能避免氧化铌膜层因氧化不充分与二氧化硅膜层产生导电，提高了触摸屏本身的绝缘效果。

技术领域

本实用新型涉及触摸屏技术领域，特别涉及一种触摸屏的消影结构。

背景技术

目前，在触摸屏技术中，采用ITO做导电线路依然是主流。为了减少触摸屏视窗区域ITO导电线路和ITO被蚀刻掉的蚀刻痕区域出现视觉反差，常常会在触摸屏上做一层消影膜。现有的OGS产品消影膜主要使用高折材料氧化铌和低折材料二氧化硅搭配来达到消影的效果(通过调整高折材料和低折材料的搭配，使导电线路区域和蚀刻痕区域的光学接近)，但因为铌本身是金属材料，当其氧化不充分时会产生一定的导电性，因此采用传统方式做出来的触摸屏本身的绝缘性相对差，对于很多对绝缘性要求较高的车载触摸屏和带有笔电功能的触摸屏来说，采用氧化铌和二氧化硅搭配的方式构成消影膜无法满足触控屏的绝缘要求。而如果采用非金属材料氮化硅直接和二氧化硅搭配的方式，虽然可以解决绝缘性的问题，但对于触摸屏OGS产品来说，氮化硅材料和OGS触摸屏的黑色边框材料(树脂材料)之间会因为物性原因，存在两者间附着性差的问题，所以当直接采用氮化硅和二氧化硅构成的消影膜搭配在触摸屏中使用后，易出现脱落的情况，从而造成触控屏产品功能失效，存在一定的隐性风险。

现提供一种触摸屏的消影结构，通过在氧化铌膜层和二氧化硅膜层之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层来构成消影膜，不仅可以提高了触摸屏本身的绝缘效果，还能避免氮化硅直接与触摸屏黑色边框层接触时，因附着性较差产生的脱落现象，确保了触摸屏的安全、稳定使用。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种触摸屏的消影结构，以解决上述背景技术中提到的问题。

为了达成上述目的，本实用新型的解决方案为：一种触摸屏的消影结构，包括设置在触摸屏基材和导电线路层之间的消影膜；所述消影膜包括依次设置的氧化铌膜层、氮化硅膜层和二氧化硅膜层；所述氧化铌膜层位于触摸屏基材一侧，所述二氧化硅膜层位于导电线路层一侧；所述氧化铌膜层与触摸屏基材之间还设有触摸屏黑色边框层。

进一步地，所述触摸屏基材为玻璃。

进一步地，所述触摸屏黑色边框层通过感光树脂材料制备而成。

更进一步地，所述氧化铌膜层通过中频磁控溅射在触摸屏黑色边框层上，所述氧化铌膜层的膜层厚度为

进一步地，所述氮化硅膜层通过中频磁控溅射在氧化铌膜层上，所述氮化硅膜层的膜层厚度为

更进一步地，所述二氧化硅膜层中频磁控溅射在氮化硅膜层上，所述二氧化硅膜层的膜层厚度为

进一步地，所述导电线路层采用ITO搭桥结构。

本实用新型对照现有技术的有益效果是：

(1)本实用新型通过在氧化铌膜层和二氧化硅膜层之间设置具有绝缘性的氮化硅膜层来调整消影膜的模层光学搭配，既保证了消影膜的消影效果，又能避免氧化铌膜层因氧化不充分与二氧化硅膜层产生导电，提高了触摸屏本身的绝缘效果；且消影膜通过氧化铌膜层与触摸屏黑色边框层接触，可以确保二者之间的附着性，避免消影膜直接用氮化硅膜层与触摸屏黑色边框层接触时因附着性差产生的脱落现象，确保了触摸屏的安全、稳定使用。

附图说明

图1为本实用新型各膜层分离状态下的立体结构示意图；

图2为本实用新型的各膜层贴合后的侧剖结构示意图。