[实用新型]一种保护电路和集成电路

权利要求书

1.一种保护电路，其特征在于，应用于多电源域电路，所述多电源域电路包括至少两个电源域、第一电源轨和第二电源轨，所述保护电路包括：

至少一个第一保护单元，所述第一保护单元连接在相邻两个所述电源域的公共接地端之间；

至少一个第二保护单元，所述第二保护单元连接在同一个所述电源域的电源端与公共接地端之间；

至少一个第三保护单元，所述第三保护单元连接在任一所述电源域的电源端与所述第一电源轨之间；

每个所述电源域的公共接地端连接所述第二电源轨。

2.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一保护单元包括：第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管串接于相邻两个所述电源域的公共接地端之间，所述第二二极管与所述第一二极管并联连接，所述第二二极管的阳极连接所述第一二极管的阴极，所述第二二极管的阴极连接所述第一二极管的阳极。

3.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述电源域包括I/O端口，所述第二保护单元包括：第一保护子单元和一个第二保护子单元；所述第一保护子单元的数量与所述I/O端口的数量相同，所述第一保护子单元与所述I/O端口一一对应；

所述第一保护子单元包括：第三二极管和第四二极管；所述第三二极管的阴极连接所述电源域的电源端，所述第三二极管的阳极连接所述第四二极管的阴极和所述第一保护子单元对应的所述I/O端口，所述第四二极管的阳极连接所述电源域的公共接地端；

或者，

所述第一保护子单元包括：第一栅极接地PMOS管和第一栅极接地NMOS管；所述第一栅极接地PMOS管的源极连接所述电源域的电源端，所述第一栅极接地PMOS管的漏极连接所述第一栅极接地NMOS管的漏极和所述第一保护子单元对应的所述I/O端口，所述第一栅极接地NMOS管的源极连接所述电源域的公共接地端。

4.根据权利要求3所述的保护电路，其特征在于，所述第二保护子单元包括：第二栅极接地NMOS管；所述第二栅极接地NMOS管的源极连接所述电源域的公共接地端，所述第二栅极接地NMOS管的漏极连接所述电源域的电源端；

或者，

所述第二保护子单元包括：第一RC侦测电路；所述第一RC侦测电路的第一端连接所述电源域的电源端，所述第一RC侦测电路的第二端连接所述电源域的公共接地端；

所述第一RC侦测电路包括：第一电容、第一电阻、第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述第一电容的第一端连接所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极，所述第一电容的第一端、所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极作为所述第一RC侦测电路的第一端；所述第一电容的第二端连接所述第一电阻的第一端、所述第一PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极；所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极；所述第一电阻的第二端连接所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极，所述第一电阻的第二端、所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极作为所述第一RC侦测电路的第二端。

5.根据权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第三保护单元包括：第五二极管和第六二极管；

所述第五二极管串接于所述电源域的电源端与所述第一电源轨之间；所述第五二极管的阳极连接所述电源域的电源端，所述第五二极管的阴极连接所述第一电源轨；所述第六二极管与所述第五二极管并联连接，所述第六二极管的阳极连接所述第五二极管的阴极，所述第六二极管的阴极连接所述第五二极管的阳极。