[实用新型]去耦合电容电路结构

权利要求书

1.一种去耦合电容电路结构，其特征在于，包括：

PMOS管，具有第一有源区、第一衬底以及第一栅极接触孔，所述第一有源区内设有第一源极接触孔阵列、第一栅极区和第一漏极接触孔阵列，所述第一衬底位于所述第一有源区的上方，所述第一栅极接触孔位于所述第一有源区的下方；

NMOS管，位于所述PMOS管的下方，具有第二有源区、第二衬底以及第二栅极接触孔，所述第二有源区内设有第二源极接触孔阵列、第二栅极区及第二漏极接触孔阵列，所述第二衬底位于所述第二有源区的下方，所述第二栅极接触孔位于所述第二有源区的上方；

第一多晶硅层，覆盖所述第一栅极区和所述第一栅极接触孔；

第二多晶硅层，覆盖所述第二栅极区和所述第二栅极接触孔；

两条第一基准多晶硅，设于所述第一有源区的左右两侧，且两条所述第一基准多晶硅分别以并联方式与所述的第一多晶硅层相连接；

两条第二基准多晶硅，设于所述第二有源区的左右两侧，且两条所述第二基准多晶硅分别以并联方式与所述第二多晶硅层相连接；

第一金属层，覆盖所述第一源极接触孔阵列、所述第一衬底、所述第一基准多晶硅以及部分所述第一多晶硅层；

第二金属层，覆盖所述第一漏极接触孔阵列以及所述第二栅极接触孔，且覆盖部分所述第一多晶硅层；

第三金属层，覆盖所述第二漏极接触孔阵列以及所述第一栅极接触孔，且覆盖部分所述第二多晶硅层；

第四金属层，覆盖所述第二源极接触孔阵列、所述第二衬底、所述第二基准多晶硅以及部分所述第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的去耦合电容电路结构，其特征在于：

所述第一栅极区设有两处，所述第一栅极区沿第二方向延伸；

所述第一多晶硅层包括第一多晶硅、第二多晶硅以及两条第三多晶硅；所述第一多晶硅沿第一方向延伸且位于所述第一有源区的上侧，所述第二多晶硅沿第一方向延伸且覆盖所述第一栅极接触孔，所述第一栅极区和所述第二栅极区均沿第二方向延伸，两条所述第三多晶硅分别覆盖对应的所述第一栅极区，且两条所述第三多晶硅的第一端分别与所述第一多晶硅相连接，两条所述第三多晶硅的第二端分别与所述第二多晶硅相连接；

其中，所述第一金属层覆盖所述第一多晶硅、部分所述第二多晶硅以及部分所述第三多晶硅、所述第二金属层覆盖部分所述第二多晶硅。

3.根据权利要求1或2所述的去耦合电容电路结构，其特征在于：

所述第二栅极区设有两处，所述第二栅极区沿第二方向延伸；

所述第二多晶硅层包括第四多晶硅、第五多晶硅以及两条第六多晶硅；所述第四多晶硅沿第一方向延伸且覆盖所述第二栅极接触孔，所述第五多晶硅沿第一方向延伸且位于所述第二有源区的下侧，两条所述第六多晶硅分别覆盖对应的所述第二栅极区，且两条所述第六多晶硅的第一端分别与所述第四多晶硅相连接，两条所述第六多晶硅的第二端分别与所述第五多晶硅相连接；

其中，所述第三金属层覆盖部分所述第四多晶硅，所述第四金属层覆盖所述第五多晶硅、部分所述第四多晶硅以及部分所述第六多晶硅。

4.根据权利要求1所述的去耦合电容电路结构，其特征在于：所述第一漏极接触孔阵列和所述第二漏极接触孔阵列分别设有一列，所述第一源极接触孔阵列和所述第二源极接触孔阵列分别设有两列，所述第一漏极接触孔阵列、所述第二漏极接触孔阵列、所述第一源极接触孔阵列以及所述第二源极接触孔阵列均沿第二方向延伸，所述第一漏极接触孔阵列位于两列所述第一源极接触孔阵列之间，所述第二漏极接触孔阵列位于两列所述第二源极接触孔阵列之间，每一列所述第一源极接触孔阵列与所述第一漏极接触孔阵列之间设有一处所述第一栅极区，每一列所述第二源极接触孔阵列与所述第二漏极接触孔阵列之间设有一处所述第二栅极区。