[实用新型]一种多晶硅膜的风干装置

说明书

本实用新型涉及一种多晶硅膜的风干装置，所述多晶硅膜的风干装置包括湿段和干段；所述湿段和干段之间由挡板隔开；以多晶硅膜的插入位置为界限，所述挡板上并列设置有上风刀和下风刀；所述上风刀上方的挡板上设置有通孔；所述通孔的湿段一侧相对设置有阻隔板；所述干段设置有风机过滤组装置；所述湿段按照多晶硅膜的插入位置划分为两个区域，且两个区域均设置有排气孔。本实用新型所述风干装置风干后的多晶硅膜亮点聚集发生率低。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅膜技术领域，尤其涉及一种多晶硅膜的风干装置。

背景技术

现行面板行业中高流动性的多晶硅薄膜,多是以准分子激光照射非晶硅薄膜结晶形成，结晶前均需经过清洗,风干，降低非晶硅表面杂质和水汽。

CN202217695U公开了一种多晶硅片制绒机的传动与风干结构，其公开的传动结构包括可转动的传动轴，沿传动轴的轴向方向等间距得设置径向尺寸相同的连接节，每两个连接节之间的连接轴节段的中部沿周向方向凸起形成轴向长度大于多晶硅片的边长的滚轮，在滚轮下方设置圆形或狭长形的下风口，多晶硅片与滚轮之间发生的是线接触，且多晶硅片由制绒槽出来之后，下表面在下风口吹出的风刀的作用下会很快风干，避免了滚轮印的形成，提高了多晶硅片制成后的外观合格率。

CN1794424A公开了一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干，或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后，再在400℃-600℃温度下退火；在加温退火过程中先形成晶化诱导点，以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10-200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程，可控制晶粒的大小。其公开的溶液法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域，其中，风干过程为自然干燥。

目前，在激光退火的工艺工程中，非晶硅会因表面水汽受热不均匀，导致局部结晶不佳，进而在形成多晶硅薄膜时产生缺陷，导致薄膜晶体管(TFT)电性不佳。对于对电性要求较高的主动矩阵有机发光二极体(AMOLED)，其会影响电流的均匀性，进而影响AMOLED的显示效果。

综上所述，开发一种能有效风干多晶硅膜的装置至关重要。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种多晶硅膜的风干装置，所述风干装置风干后的多晶硅膜亮点聚集发生率低。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型提供一种多晶硅膜的风干装置，所述多晶硅膜的风干装置包括湿段和干段；

所述湿段和干段之间由挡板隔开；

以多晶硅膜的插入位置为界限，所述挡板上并列设置有上风刀和下风刀；

所述上风刀上方的挡板上设置有通孔；所述通孔的湿段一侧相对设置有阻隔板；

所述干段设置有风机过滤组装置(FFU)；

所述湿段按照多晶硅膜的插入位置划分为两个区域，且两个区域均设置有排气孔。

本实用新型所述风干装置分为干段和湿段，由带有风刀的挡板隔开，形成密闭腔体，湿段设置有排气孔，也能起到泄流的作用，干段装有FFU，多晶硅膜经过清洗后进入风干装置的湿段，利用风刀吹干多晶硅膜表面的液体，再经干段传出。