[实用新型]功率模块驱动电路及空调有效
申请号: | 202122290327.5 | 申请日: | 2021-09-22 |
公开(公告)号: | CN216312947U | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 李修贤;杨湘木;杨帆;郑嘉良;赵浩 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M1/08 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 519000*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 模块 驱动 电路 空调 | ||
本实用新型公开了一种功率模块驱动电路及空调,包括开关驱动电路、给所述开关驱动电路供电的电源电路,所述开关驱动电路包括至少一个由开关管串联形成的桥臂,还包括连接于所述开关驱动电路与所述电源电路之间的容错电路,所述容错电路泄放所述开关管产生的米勒电流。与现有技术相比,本实用新型通过容错电路泄放米勒电流,避免了开关驱动电路中同一桥臂直通,功率模块炸毁的问题。
技术领域
本实用新型涉及变频器技术领域,特别是一种功率模块驱动电路及空调。
背景技术
目前智能功率模块(IPM)在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用,其内部开关管通常为IGBT。当使用高性能的 IGBT 驱动电路工作时,能够减少开关延时,降低开关损耗,以获得良好的开通和关断性能,对变频器的可靠运行起到关键作用。当IGBT 开关时,由于逆变桥桥臂寄生电容,即米勒电容。在较高的电压变化率下产生感应电流,经由电阻形成电压尖峰,可能导致IGBT误开通,逆变桥臂直通,智能功率模块(IPM)炸毁。
有学者提出采用双极性电源来驱动IGBT,通过负压来可靠关断 IGBT。也有学者提出采用IGBT、MOSFET开关管组合电路解决米勒平台问题。然而以上两种方案电路复杂,涉及到开关时序控制,而且成本很高。
因此,如何设计一种能够抑制米勒平台的功率模块驱动电路及空调是业界亟待解决的技术问题。
实用新型内容
针对现有技术中,因米勒电容导致桥臂直通的问题,本实用新型提出了一种功率模块驱动电路及空调。
本实用新型的技术方案为,提出了一种功率模块驱动电路,包括开关驱动电路、给所述开关驱动电路供电的电源电路,所述开关驱动电路包括至少一个由开关管串联形成的桥臂,还包括连接于所述开关驱动电路与所述电源电路之间的容错电路,所述容错电路泄放所述开关管产生的米勒电流。
进一步,所述开关驱动电路包括串联连接的IGBT Q1和IGBT Q2,所述容错电路包括与所述IGBT Q1门极连接的第一容错电路、以及与所述IGBT Q2门级连接的第二容错电路,当所述IGBT Q1导通时,所述第二容错电路泄放所述IGBT Q2产生的米勒电流;当所述IGBT Q2导通时,所述第一容错电路泄放所述IGBT Q1产生的米勒电流。
进一步,所述电源电路包括驱动芯片IC1、驱动芯片IC2、以及单极性电源U,所述单极性电源U分别连接到所述驱动芯片IC1的电源引脚VCC1和驱动芯片IC2的电源引脚VCC2,所述驱动芯片IC1的输出引脚OUT1串联一驱动电阻RG1和第一容错电路至所述IGBT Q1的门级,所述驱动芯片IC2的输出引脚OUT2串联一驱动电阻RG2和第二容错电路至所述IGBT Q2的门级,所述驱动芯片IC1的地脚GND1和驱动芯片IC2的地脚GND2接地。
进一步,还包括与所述驱动芯片IC1连接的自举电路,所述自举电路包括二极管D1、电容C1、稳压管Z1,所述单极性电源U串联一限流电阻Rlim后连接到二极管D1的正极,所述二极管D1的负极串联电容C1后连接到IGBT Q2的集电极,所述稳压管Z1并联于所述电容C1两端,所述驱动芯片IC1的电源引脚VCC1和地脚GND1分别连接到电容C1两端。
进一步,当所述IGBT Q2导通时,所述单极性电源U依次通过限流电阻Rlin、二极管D1、IGBT Q2给电容C1充电;当IGBT Q1导通时,IGBT Q1的门级通过所述电容C1供电,稳压管Z1钳位电容C1两端电压。
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