[实用新型]一种倒装高亮LED有效
| 申请号： | 202122358927.0 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN215933630U | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 戴广超;张雪梅 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led | ||
1.一种倒装高亮LED，其特征在于，包括：
衬底；
介质层结构，设置于所述衬底的出光面上；
外延层结构，设置于所述衬底远离所述介质层结构的一面上；
其中，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。
2.根据权利要求1所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述预设阈值设置为1.96。
3.根据权利要求2所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述介质层结构的折射率大于1，所述介质层结构的厚度范围为所述衬底的厚度设置为100μm-250μm。
4.根据权利要求3所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述外延层结构包括依次设置在所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层。
5.根据权利要求4所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述第二半导体层上设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层覆盖部分所述第二半导体层，所述电流阻挡层的厚度范围为
6.根据权利要求5所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述第二半导体层上设置有电流扩展层，所述电流扩展层覆盖所述电流阻挡层，所述电流扩展层的厚度范围为
7.根据权利要求6所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述衬底上设置有绝缘层，所述绝缘层覆盖所述外延层结构和所述电流扩展层，所述绝缘层上设置有电极引出结构，所述绝缘层的厚度范围设置为1μm-4μm。
8.根据权利要求7所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述第一半导体层上设置有第一层N电极，所述第一层N电极的厚度范围为1μm-4μm，所述电流扩展层上设置有第一层P电极，所述第一层P电极的厚度范围为1μm-4μm。
9.根据权利要求8所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述电极引出结构包括第一电极引出端和第二电极引出端，所述第一电极引出端与所述第一层N电极电性连接，所述第二电极引出端与所述第一层P电极电性连接。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括上述权利要求1至9任一项所述的倒装高亮LED，所述显示装置包括线路板，所述线路板与所述LED连接。
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