[实用新型]一种倒装高亮LED

说明书

本实用新型公开了一种倒装高亮LED，其中，包括：衬底；介质层结构，设置于所述衬底的出光面上；外延层结构，设置于所述衬底远离所述介质层结构的一面上；其中，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。在本实用新型中，通过在衬底的出光面增加一层介质层，且配合介质层的折射率范围在1‑1.96的设置方式，增大芯片从蓝宝石面的出光角度，从而达到提高倒装LED亮度的效果。

技术领域

本实用新型涉及LED领域，尤其涉及一种倒装高亮LED。

背景技术

相比于传统的正装LED而言，倒装LED具有比较多的优势，例如无金线掉电极风险、封装散热好、可承受较大电流冲击等，倒装LED的应用也愈发广泛，倒装LED又可称为倒装芯片(Flip chip)。

由于倒装LED需要通过回流焊的方式固晶在基板上，芯片需要从蓝宝石面出光。芯片量子阱发出的光经过衬底蓝宝石面，入射到空气，蓝宝石的折射率较大约1.96，通过菲涅尔公式(sinθ＝N1/N2)计算，从衬底的光发出到空气的全反射角度为30.67°，其余角度的光均需要在衬底中不断反射，直至入射角度小于30.67°才可射出，其中存在一部分光在不断的反射中损失，且另一部分光在从芯片的侧壁发出而导致损失，进一步影响倒装芯片的亮度。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种倒装高亮LED，旨在解决现有的倒装LED芯片出光角度较低导致芯片亮度较暗的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种倒装高亮LED，其中，包括：

衬底；

介质层结构，设置于所述衬底；

外延层结构，设置于所述衬底；

其中，所述外延层结构设置在所述衬底的正面，所述介质层结构设置在所述衬底的出光面，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。

所述倒装高亮LED，其中，所述预设阈值设置为1.96。

所述倒装高亮LED，其中，所述介质层结构的折射率大于1，所述介质层结构的厚度范围为所述衬底的厚度设置为100μm-250μm。

所述倒装高亮LED，其中，所述外延层结构包括依次设置在所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层。

所述倒装高亮LED，其中，所述第二半导体层上设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层覆盖部分所述第二半导体层，所述电流阻挡层的厚度范围为

所述倒装高亮LED，其中，所述第二半导体层上设置有电流扩展层，所述电流扩展层覆盖所述电流阻挡层，所述电流扩展层的厚度范围为

所述倒装高亮LED，其中，所述衬底上设置有绝缘层，所述绝缘层覆盖所述外延层结构和所述电流扩展层，所述绝缘层上设置有电极引出结构，所述绝缘层的厚度范围设置为1μm-4μm。

所述倒装高亮LED，其中，所述第一半导体层上设置有第一层N电极，所述第一层N电极的厚度范围为1μm-4μm，所述电流扩展层上设置有第一层P电极，所述第一层P电极的厚度范围为1μm-4μm。

所述倒装高亮LED，其中，所述电极引出结构包括第一电极引出端和第二电极引出端，所述第一电极引出端与所述第一层N电极电性连接，所述第二电极引出端与所述第一层P电极电性连接。

一种显示装置，其中，所述显示装置包括上述任一项所述的倒装高亮LED，所述显示装置包括线路板，所述线路板与所述LED连接。