[实用新型]一种充电前端过压保护电路有效

专利信息
申请号: 202122362141.6 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN216215960U 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 苏志强 申请(专利权)人: 福建嘉鑫博源电子科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H3/20;H02H7/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350008 福建省福州市仓山区建新镇*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 充电 前端 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种充电前端过压保护电路,包括充电器和负载、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、 R6)、P-MOSFET管(Q1)、N-MOSFET管(Q2)和NPN三极管(Q3),其特征在于:

所述的电阻(R4)和电阻(R5)串联后一端接充电器的正端(CHG+),另外一端接充电器的负端(CHG-);

所述的NPN三极管(Q3)的基极连接到电阻(R4)和(R5)的连接点,NPN三极管(Q3)的集电极接电阻(R3)的一端,电阻(R3)的另外一端连接到充电器的正端(CHG+),NPN三极管(Q3)的发射极接充电器的负端(CHG-);

所述的电阻(R6)的一端连接到NPN三极管(Q3)的集电极,电阻(R6)的另外一端连接到充电器的负端(CHG-);

所述的N-MOSFET管(Q2)的栅极接NPN三极管(Q3)的集电极,N-MOSFET管(Q2)的漏极接到充电器的负端(CHG-);N-MOSFET管(Q2)的源极分别接到电阻(R1)和电阻(R2)的一端;

所述的电阻(R2)的另外一端,连接到充电器的正端(CHG+);

所述的P-MOSFET管(Q1)的栅极连接到电阻(R1)的另外一端,P-MOSFET管(Q1)的源极连接到充电器的正端(CHG+),P-MOSFET管(Q1)的漏极连接到负载的一端;

所述的负载的另外一端连接到充电器的负端(CHG-)。

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