[实用新型]一种充电前端过压保护电路

说明书

本实用新型公开了一种充电前端过压保护电路，包括充电器和负载、以及由电阻(R1、R2、R3、R4、R5、R6)、P‑MOSFET管（Q1）、N‑MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3）构成的充电前端过压保护电路。该电路在充电器和负载之间，本实用新型在出现充电器故障或者充电器用错的情况下，有效保护负载，避免引发安全事故。

技术领域

本实用新型涉及充电保护技术领域，尤其设计一种充电前端过压保护电路。

背景技术

现实电器应用过程中，由于设备或电器无充电过压保护模块，经常发生充电器用错或充电器故障导致输入高压将设备或者电器烧坏。

发明内容

针对现存的问题，本实用新型的解决方案是在充电器和负载之间提供一种充电前端过压保护电路，包括充电器和负载、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、 R6)、P-MOSFET管（Q1）、N-MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3），其特征在于：

所述的电阻（R4）和电阻（R5）串联后一端接充电器的正端（CHG+）,另外一端接充电器的负端（CHG-）；

所述的NPN三极管（Q3）的基极连接到电阻（R4）和（R5）的连接点，NPN三极管（Q3）的集电极接电阻（R3）的一端，电阻（R3）的另外一端连接到充电器的正端（CHG+），NPN三极管（Q3）的发射极接充电器的负端（CHG-）；

所述的电阻（R6）的一端连接到NPN三极管（Q3）的集电极，电阻（R6）的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）；

所述的N-MOSFET管（Q2）的栅极接NPN三极管（Q3）的集电极，N-MOSFET管（Q2）的漏极接到充电器的负端（CHG-）；N-MOSFET管（Q2）的源极分别接到电阻（R1）和电阻（R2）的一端；

所述的电阻（R2）的另外一端，连接到充电器的正端（CHG+）；

所述的P-MOSFET管（Q1）的栅极连接到电阻（R1）的另外一端，P-MOSFET管（Q1）的源极连接到充电器的正端（CHG+），P-MOSFET管（Q1）的漏极连接到负载的一端；

所述的负载的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）。

本实用新型克服了现有充电技术的缺点，在出现充电器故障或者充电器用错的情况下，能有效保护负载，避免引发安全事故。

附图说明

图1为本实施例的电路示意图。

图中：1——充电器、2——负载、3——充电前端过压保护电路。

具体实施例

在充电器后和负载前端增加充电前端过压保护电路。包括充电器和负载、电阻(R1、R2、R3、R4、R5、 R6)、P-MOSFET管（Q1）、N-MOSFET管（Q2）和NPN三极管（Q3），其特征在于：

所述的电阻（R4）和电阻（R5）串联后一端接充电器的正端（CHG+）,另外一端接充电器的负端（CHG-）；

所述的NPN三极管（Q3）的基极连接到电阻（R4）和（R5）的连接点，NPN三极管（Q3）的集电极接电阻（R3）的一端，电阻（R3）的另外一端连接到充电器的正端（CHG+），NPN三极管（Q3）的发射极接充电器的负端（CHG-）；

所述的电阻（R6）的一端连接到NPN三极管（Q3）的集电极，电阻（R6）的另外一端连接到充电器的负端（CHG-）；

所述的N-MOSFET管（Q2）的栅极接NPN三极管（Q3）的集电极，N-MOSFET管（Q2）的漏极接到充电器的负端（CHG-）；N-MOSFET管（Q2）的源极分别接到电阻（R1）和电阻（R2）的一端；