[实用新型]一种等离子体CVD设备的腔体结构有效
申请号: | 202122369186.6 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN215976037U | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 来木庆 | 申请(专利权)人: | 新优势产业集团有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310051 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 cvd 设备 结构 | ||
1.一种等离子体CVD设备的腔体结构,其特征是,所述腔体结构包括固定座(1)、设置在固定座上的圆筒状侧壁(2)及设于侧壁上端的顶盖(3),固定座、侧壁及顶盖围合构成所述等离子体CVD设备的内腔,侧壁内设有腔体水冷腔,顶盖上设有进气口(4),固定座上设有排气孔(5),内腔的下部设有内台(6),所述内台通过绝缘支撑环(7)设置在固定座上,内台内部设有内台水冷腔(8),内台水冷腔的底部与内台水冷管(9)连接,固定座的中部设有通孔(10),通孔的下端口设有引导微波进入内腔的波导连接法兰管(11),所述内台水冷管穿设在波导连接法兰管的中央。
2.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,所述内台的顶部中央嵌设有散热板(12),所述散热板构成所述内台水冷腔的腔顶,散热板的上表面与内台的顶面在同一平面上,散热板的外周与内台之间设有密封圈。
3.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,所述的绝缘支撑环为石英玻璃,绝缘支撑环的上下两端分别嵌设在内台及固定座上,绝缘支撑环与内台及固定座之间均设有密封环(13)。
4.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,顶盖底面中央设有与侧壁配合的下凸台,下凸台的底面设有环形槽(14),所述环形槽与进气口连通,环形槽的槽口设有环形盖板(15),沿盖板的周向均匀设有进气孔,所述环形槽及进气孔构成均匀进气装置,顶盖与侧壁顶面之间设有用于防止微波泄漏的簧片(16)。
5.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,所述顶盖上设有凹腔,凹腔处设有顶端水冷腔(17),顶端水冷腔内竖直设有进水管(18),所述进水管的上端开口位于顶端水冷腔的顶部,进水管的下端开口靠近顶端水冷腔的底部,顶端水冷腔的排水口(19)设置在顶端水冷腔的顶部。
6.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,内腔为上小下大的阶体轴结构,包括上腔(20)与下腔(21),上、下腔之间通过锥面(22)过渡连接,内腔的外周设有若干贯穿侧壁的观察窗(23),所述观察窗的内端位于锥面上,腔体上还设有测温孔。
7.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,所述腔体水冷腔包括位于侧壁上部的环形腔(24)及位于侧壁下部且与环形腔连通的筒形腔(25),腔体水冷腔的进水口(26)设置在筒形腔的底部,腔体水冷腔的出水口(27)设置在环形腔的顶部;侧壁的底部设有支撑圈(28),腔体水冷腔的进水口设置在支撑圈上,支撑圈的底面与固定座之间设有密封圈(29)。
8.根据权利要求1所述的等离子体CVD设备的腔体结构,其特征在于,所述的排气孔环绕固定座上的通孔均匀布置,固定座的底面设有覆盖所述排气孔的集气槽(30),所述的集气槽上设有排气口(31)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的