[实用新型]一种等离子体CVD设备的腔体结构

说明书

本实用新型公开了一种等离子体CVD设备的腔体结构，固定座、侧壁及顶盖围合构成所述等离子体CVD设备的内腔，侧壁内设有腔体水冷腔，顶盖上设有进气口，固定座上设有排气孔，内腔的下部设有内台，所述内台通过绝缘支撑环设置在固定座上，内台内部设有内台水冷腔，内台水冷腔的底部与内台水冷管连接，固定座的中部设有通孔，通孔的下端口设有引导微波进入内腔的波导连接法兰管，所述内台水冷管穿设在波导连接法兰管的中央。本实用新型的腔体结构具有结构简单，效率高、基材取放操作方便的优点，具有很高的实用价值。

技术领域

本实用新型属于化学气相沉积设备技术领域，具体涉及一种等离子体CVD设备的腔体结构。

背景技术

化学气相沉积（CVD）广泛应用于钻石的合成，将混合气体（氢气、氧气、氮气及甲烷等）送入腔体内进行加热，在腔体内形成一种碳等离子体，该等离子体中的碳不断沉积在腔体内的基材（碳底层）上，并逐渐积聚和硬化，从而形成钻石薄膜或薄片。现有技术的等离子体CVD设备其微波通常从腔体顶部输入，由于沉积平台设置在腔体的底部，因此这种结构的微波输入端与沉积平台很远，微波的利用率不高，设备效率较低；另一方面，由于微波转换器及其连接的微波源等位于腔体的顶部，导致腔体无法向上开启，而只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难，影响了工作效率。公开日为2020年2月18日，公开号为CN110804732A的中国专利文件公开了一种等离子体CVD装置，机架的工作平台上固定有一个圆筒状的腔体，腔体的顶部设有微波转换器，腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道及环形抽气道，腔体中部的外周设有若干观察窗，腔体的下部设有开口，机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，用于安置基材的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，腔内台的下部设有防泄漏装置。但这种等离子体CVD装置的微波从腔体顶部输入，由于沉积平台设置在腔体的底部，因此这种结构的微波输入端与沉积平台很远，微波的利用率不高，效率较低；另一方面，由于微波转换器及其连接的微波源等位于腔体的顶部，导致腔体无法向上开启，而只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难。

实用新型内容

本实用新型的目的是为解决现有技术等离子体CVD设备的腔体结构存在微波利用率不高，效率较低及只能通过沉积平台下降的方式开启，导致基材的取放操作困难、影响工作效率的问题，提供一种等离子体CVD设备的腔体结构，具有效率高、基材取放操作方便的优点。

本实用新型为解决上述技术问题所采用的技术方案是，一种等离子体CVD设备的腔体结构，所述腔体结构包括固定座、设置在固定座上的圆筒状侧壁及设于侧壁上端的顶盖，固定座、侧壁及顶盖围合构成所述等离子体CVD设备的内腔，侧壁内设有腔体水冷腔，顶盖上设有进气口，固定座上设有排气孔，内腔的下部设有内台，所述内台通过绝缘支撑环设置在固定座上，内台内部设有内台水冷腔，内台水冷腔的底部与内台水冷管连接，固定座的中部设有通孔，通孔的下端口设有引导微波进入内腔的波导连接法兰管，所述内台水冷管穿设在波导连接法兰管的中央。