[实用新型]一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统

权利要求书

1.一种适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：包括热屏封气环、热屏支撑环、内保温部和外保温部，其中，

所述内保温部设于所述外保温部的内部，且所述内保温部与所述外保温部内侧面接触；

所述热屏支撑环设于所述外保温部的内部，且所述热屏支撑环设于所述内保温部的一端，所述热屏支撑环与所述外保温部的内侧面接触，对热屏进行支撑；

所述热屏封气环设于所述外保温部的内部，且所述热屏封气环与所述热屏支撑环的远离所述内保温部的一侧面接触，所述热屏封气环与所述外保温部的内侧面接触，对所述热屏支撑环分别与所述内保温部和所述外保温部的接触处进行封堵。

2.根据权利要求1所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述外保温部包括第一接触部、第二接触部和第三接触部，所述第一接触部、所述第二接触部与所述第三接触部依次连接，所述第一接触部的厚度大于第二接触部的厚度，所述第三接触部的厚度大于所述第二接触部的厚度，且所述第三接触部的厚度大于所述第一接触部的厚度。

3.根据权利要求2所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述第一接触部的外侧面与所述第二接触部的外侧面位于同一平面，所述第二接触部的内侧面与所述第三接触部的内侧面位于同于平面。

4.根据权利要求2或3所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述内保温部的长度小于所述第二接触部与所述第三接触部的长度之和，以使得所述内保温部的端部与所述第一接触部之间具有间隙，所述热屏支撑环插接于所述间隙内，且所述支撑环分别与所述内保温部和所述第一接触部接触。

5.根据权利要求4所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述热屏封气环的端部凸出设于所述第一接触部的端部。

6.根据权利要求1-3和5任一项所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述热屏封气环与所述外保温部的内侧面接触。

7.根据权利要求6所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述热屏支撑环的内径小于所述内保温部的内径，所述热屏封气环的内径大于所述热屏支撑环的内径。

8.根据权利要求1所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述内保温部为石墨保温桶。

9.根据权利要求1或8所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，其特征在于：所述外保温部为一体保温固碳。

10.一种单晶炉系统，其特征在于：包括如权利要求1-9任一项所述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，所述适用于单晶硅降功耗的热场结构设于下保温层的上部。