[实用新型]一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统

说明书

本实用新型提供一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统，包括热屏封气环、热屏支撑环、内保温部和外保温部，内保温部设于外保温部的内部，内保温部与外保温部内侧面接触；热屏支撑环设于外保温部的内部，且热屏支撑环设于内保温部的一端，热屏支撑环与外保温部的内侧面接触，对热屏进行支撑；热屏封气环设于外保温部的内部，且热屏封气环与热屏支撑环的远离内保温部的一侧面接触，热屏封气环与外保温部的内侧面接触，对热屏支撑环分别与内保温部和外保温部的接触处进行封堵。本实用新型的有益效果是避免原有的上保温层与中保温层的拼接部分在炉台运行过程中的热量损耗，外保温部的厚度呈梯度式设置，有利于单晶在生长过程中带走结晶潜热。

技术领域

本实用新型属于直拉单晶的技术领域，尤其是涉及一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统。

背景技术

生产直拉大尺寸单晶硅需要更大的热场，大热场对功耗的损耗更为严重，所以在大尺寸直拉单晶硅的生产中降低运行功耗一定是降本增效的关键环节，大尺寸直拉单晶硅的优势就是产能，产能所体现出的就是均摊成本低，且对于下游组件端优势也较为明显，同等面积的组件可实现超过500W，并且转换率有效的提高，而且相同的土地组建电站，使用大尺寸硅片组件的电站中可更有效的降低度电成本，实现平价上网。所以降低大尺寸直拉单晶硅的运行功耗，对于整个产业链也是一种促进，推动行业的快速、稳健前行。现有的热场结构由上保温层、中保温层和下保温层拼接构成，上保温层与中保温层的拼接处存在拼接缝隙，造成热量损耗。

发明内容

鉴于上述问题，本实用新型提供一种适用于单晶硅降功耗的热场结构及单晶炉系统，以解决现有技术存在的以上或者其他问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种适用于单晶硅降功耗的热场结构，包括热屏封气环、热屏支撑环、内保温部和外保温部，其中，

内保温部设于外保温部的内部，且内保温部与外保温部内侧面接触；

热屏支撑环设于外保温部的内部，且热屏支撑环设于内保温部的一端，热屏支撑环与外保温部的内侧面接触，对热屏进行支撑；

热屏封气环设于外保温部的内部，且热屏封气环与热屏支撑环的远离内保温部的一侧面接触，热屏封气环与外保温部的内侧面接触，对热屏支撑环分别与内保温部和外保温部的接触处进行封堵。

进一步的，外保温部包括第一接触部、第二接触部和第三接触部，第一接触部、第二接触部与第三接触部依次连接，第一接触部的厚度大于第二接触部的厚度，第三接触部的厚度大于第二接触部的厚度，且第三接触部的厚度大于第一接触部的厚度。

进一步的，第一接触部的外侧面与第二接触部的外侧面位于同一平面，第二接触部的内侧面与第三接触部的内侧面位于同于平面。

进一步的，内保温部的长度小于第二接触部与第三接触部的长度之和，以使得内保温部的端部与第一接触部之间具有间隙，热屏支撑环插接于间隙内，且支撑环分别与内保温部和第一接触部接触。

进一步的，热屏封气环的端部凸出设于第一接触部的端部。

进一步的，热屏封气环与外保温部的内侧面接触。

进一步的，热屏支撑环的内径小于内保温部的内径，热屏封气环的内径大于热屏支撑环的内径。

进一步的，内保温部为石墨保温桶。

进一步的，外保温部为一体保温固碳。

一种单晶炉系统，包括如上述的适用于单晶硅降功耗的热场结构，适用于单晶硅降功耗的热场结构设于下保温层的上部。

由于采用上述技术方案，适用于单晶硅将功耗的热场结构采用一体式结构，避免原有的上保温层与中保温层的拼接部分在炉台运行过程中的热量损耗，外保温部的厚度呈梯度式设置，不影响热场的纵向温度梯度，保证有足够的纵向温度梯度，有利于单晶在生长过程中带走结晶潜热。