[实用新型]一种SiC金属器件电极键合结构有效
| 申请号： | 202122382529.2 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN216488041U | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 江天;林少峰;陈永华;卢嵩岳 | 申请（专利权）人： | 厦门三优光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/48 |
| 代理公司： | 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 | 代理人： | 顾克帅 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 金属 器件 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC金属器件电极键合结构，芯片设在器件金属壳体内的贴片板上，金属壳体上设有器件引脚芯片负极通过贴片板及一导电柱与负极引脚连接，其特征在于：在金属壳体内与贴片板并排设置一打线焊盘，该打线焊盘与金属壳体及贴片板绝缘，芯片正极引出金线水平接到打线焊盘上，打线焊盘下端立设导电柱子，该导电柱子与悬空设置的正极引脚连接。
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