[实用新型]一种连续式晶体硅高效应力释放设备有效

专利信息
申请号: 202122407263.2 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN215856461U 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 吴利德 申请(专利权)人: 吴利德
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02;C30B29/06;F27B9/06;F27B9/24;F27B9/38;F27B9/39
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 陈仕超
地址: 620000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 连续 晶体 高效 应力 释放 设备
【权利要求书】:

1.一种连续式晶体硅高效应力释放设备,包括依次设置的进料输送机构(1)、上料机构(3)、加热炉(5)、接料机构、水箱(9)和出料输送机构(7),其特征在于:所述加热炉(5)的底面安装有滚轴箱体(6),所述滚轴箱体(6)内沿其长度方向通过轴承安装有多个下滚筒(13),多个所述下滚筒(13)间安装有动力机构(14);

所述加热炉(5)内沿其长度方向通过轴承安装有多个上滚筒(12),所述上滚筒(12)上安装有多个移料托架(11),所述移料托架(11)的顶面设有可让硅棒沿加热炉(5)长度方向放置的多组放置组件,所述加热炉(5)内沿其长度方向还安装有位于上滚筒(12)上方的多个加热管;

所述加热炉(5)的前端和后端均安装有竖直换料机构(4),所述滚轴箱体(6)的前端安装有推料机构(2)。

2.根据权利要求1所述的一种连续式晶体硅高效应力释放设备,其特征在于:所述放置组件包括安装在移料托架(11)前部且相对设置的两个前硅块(15)和安装在移料托架(11)后部且相对设置的两个后硅块(17),两个所述前硅块(15)和两个所述后硅块(17)间均留有放置间隙(16);所述移料托架(11)的前端和后端均设有导渣斜面(112),相邻两个所述移料托架(11)的导渣斜面(112)间构成积渣槽(113),所述加热炉(5)的末端下部设有收集槽(51)。

3.根据权利要求2所述的一种连续式晶体硅高效应力释放设备,其特征在于:所述移料托架(11)的顶面沿其宽度方向开有位于前硅块(15)和后硅块(17)间的让位槽(111),所述上料机构(3)包括旋转座(31),所述旋转座(31)上安装有旋转组件,所述旋转组件上安装有竖直柱(32),所述竖直柱(32)上沿其高度方向安装有竖直滑动组件,所述竖直滑动组件上安装有竖直滑台(310),所述竖直滑台(310)上安装有水平滑动组件,所述水平滑动组件上安装有进料滑板(37),所述进料滑板(37)的端部安装有可以位于让位槽(111)内的进料叉(36)。

4.根据权利要求3所述的一种连续式晶体硅高效应力释放设备,其特征在于:所述旋转组件包括安装在旋转座(31)顶面的旋转柱(312)和固定齿轮(315),所述竖直柱(32)安装在旋转柱(312)上,所述固定齿轮(315)位于旋转柱(312)内,所述旋转柱(312)上安装有旋转电机(314),所述旋转电机(314)的电机轴上安装有与固定齿轮(315)啮合的旋转齿轮(316);所述竖直滑动组件包括安装在旋转柱(312)外侧且沿其高度方向设置的多个竖直滑轨(311),所述旋转柱(312)的顶面安装有竖直电机(39),所述竖直电机(39)的电机轴上安装有位于竖直方向的竖直丝杆(38),所述竖直丝杆(38)的下端通过轴承与旋转柱(312)的下部连接,所述竖直丝杆(38)上通过竖直螺母与竖直滑台(310)连接,所述竖直滑台(310)上安装有与竖直滑轨(311)连接的竖直滑块;所述水平滑动组件包括安装在竖直滑台(310)顶面的多个水平滑块,所述进料滑板(37)的底面沿其长度方向安装有多个水平滑轨(313),所述水平滑轨(313)与水平滑块连接,所述进料滑板(37)的底面沿其长度方向安装有齿条(35),所述竖直滑台(310)上安装有水平电机(33),所述水平电机(33)的电机轴上安装有与齿条(35)啮合的水平齿轮(34)。

5.根据权利要求1所述的一种连续式晶体硅高效应力释放设备,其特征在于:所述竖直换料机构(4)包括安装在加热炉(5)上的多个滚轴架(43),所述滚轴架(43)上通过导轴法兰(44)安装有提升轴(45),所述提升轴(45)上安装有支撑座(46),所述支撑座(46)上安装有提升架(42),所述提升架(42)的下端安装有多个位于水平方向的提升滚筒(41),所述提升滚筒(41)可进入相邻两个所述下滚筒(13)间,所述加热炉(5)上还安装有与提升轴(45)连接的提升组件。

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