[实用新型]一种连续式晶体硅高效应力释放设备

说明书

本实用新型公开了一种连续式晶体硅高效应力释放设备，涉及晶体硅的应力释放技术领域，用于解决现有技术中在对晶体硅释放应力时，硅棒两端的硅渣容易掉入加热炉内而不便清理以及硅棒在炉内移动时容易错位和断裂的问题，本实用新型包括依次设置的进料输送机构、上料机构、加热炉、接料机构、水箱、滚轴箱体，所述滚轴箱体内安装有多个下滚筒；所述加热炉内安装有多个上滚筒，所述上滚筒上安装有多个移料托架，所述移料托架的顶面设有可让硅棒沿加热炉长度方向放置的多组放置组件；所述加热炉的前端和后端均安装有竖直换料机构。本实用新型通过上述技术方案使得硅棒两端的硅渣基本上不会掉落到加热炉内，从而更容易对掉落的硅渣进行清理。

技术领域

本实用新型涉及晶体硅的应力释放技术领域，更具体的是涉及一种连续式晶体硅高效应力释放设备技术领域。

背景技术

目前国内多晶硅、单晶硅行业大多采用简单的人工破碎，人工破碎存在许多弊端，例如产品质量不稳定，易产生非硅，生产效率低，占用面积大，人工成本高、防护用品消耗大，随着机械破碎技术的成熟，从而取代人工破碎，机械破碎虽然效率高，占用人工少，但晶体硅未进行应力释放时，采用机械破碎会产生较大的硅粉料占比，通常是传统人工破碎的3倍，造成硅料的损耗，所以急需一种能对晶体硅破碎前进行应力释放的设备。

现有技术中对晶体硅破碎前进行应力释放的设备包括上料机构、真空箱、加热炉、后段转运室、第一水箱和输送机构，上料机构用于将待破碎的多晶硅从上料台送入真空箱内；输送机构用于将多晶硅从真空箱送入加热炉内，且用于将加热炉内的多晶硅送入第一水箱；真空箱上与上料机构靠近的位置设置有上料门，真空箱上与加热炉连接的位置设置有可开闭的前段炉门，上料门打开则允许上料机构上料，前段炉门打开则允许输送机构将多晶硅送入加热炉内，上料门和前段炉门关闭则真空箱形成密封空间；加热炉用于对多晶硅进行加热，加热炉上与后段转运室连接的位置设置有后段炉门，前段炉门和后段炉门关闭则加热炉形成封闭空间；第一水箱用于盛放冷却水，且位于后段转运室的下方，该设备通过步进输送机构将晶体硅送入加热炉内加热后，再通过冷却水进行快速冷却，这样即可释放晶体硅的应力。

但是，由于上述设备通过步进输送机构将晶体硅送入加热炉内，如此硅棒只能横着放,加热过程中硅棒两端的硅渣会掉在炉子里，这样不便于清理掉入加热炉内的硅渣，同时硅棒在炉内反复上下移动容易错位和断裂。因此，我们迫切的需要一种在释放晶体硅应力的同时，可以减少掉入加热炉内硅渣的连续式晶体硅高效应力释放设备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：为了解决现有技术中在对晶体硅释放应力时，硅棒两端的硅渣容易掉入加热炉内而不便清理以及硅棒在炉内移动时容易错位和断裂的问题，本实用新型提供一种连续式晶体硅高效应力释放设备，通过设置上滚筒和下滚筒，并通过竖直换料机构将移料托架从上滚筒搬运到下滚筒或将移料托架从下滚筒搬运到上滚筒，而硅棒可以沿加热炉的长度方向安装在移料托架上，这样硅棒两端的硅渣就基本上不会掉落到加热炉内，从而更容易对掉落的硅渣进行清理；由于将硅棒放置在放置组件上，所以硅棒在炉内随着移料托架移动时不容易错位和断裂。

本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种连续式晶体硅高效应力释放设备，包括依次设置的进料输送机构、上料机构、加热炉、接料机构、水箱和出料输送机构，所述加热炉的底面安装有滚轴箱体，所述滚轴箱体内沿其长度方向通过轴承安装有多个下滚筒，多个所述下滚筒间安装有动力机构；所述加热炉内沿其长度方向通过轴承安装有多个上滚筒，所述上滚筒上安装有多个移料托架，所述移料托架的顶面设有可让硅棒沿加热炉长度方向放置的多组放置组件，所述加热炉内沿其长度方向还安装有位于上滚筒上方的多个加热管；所述加热炉的前端和后端均安装有竖直换料机构，所述滚轴箱体的前端安装有推料机构。

放置组件的优选结构为：所述放置组件包括安装在移料托架前部且相对设置的两个前硅块和安装在移料托架后部且相对设置的两个后硅块，两个所述前硅块和两个所述后硅块间均留有放置间隙；所述移料托架的前端和后端均设有导渣斜面，相邻两个所述移料托架的导渣斜面间构成积渣槽，所述加热炉的末端下部设有收集槽。